1) oxidation-induced stacking faults
氧化诱生层错(OSF)
1.
The behavior of oxidation-induced stacking faults(OSF) in NCZ and CZ silicon single crystal was investigated.
采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。
2) oxidation-induced stacking fault
氧化感生堆垛层错
3) Oxidation inducedstacking faults
热氧化层错
4) misfit-layered cobalt oxide
错配层钴氧化物
5) Misfit structure oxides
层错结构氧化物
6) cyclooxygenase-2
诱生型环氧化酶
1.
Expressions and significance of minichromosome maintenance protein 2,cyclooxygenase-2 and p53 in lung squamous cell carcinoma;
微型染色体维持蛋白2、诱生型环氧化酶和p53在肺鳞癌中的表达及意义
2.
Objective To elucidate the neuroprotective effects of electric stimulation in cerebella fastigial nucleus(FN) and its mechanism in regulating the expression of cyclooxygenase-2.
目的探讨电刺激大鼠小脑顶核(FNS)的神经保护作用与其调节诱生型环氧化酶(COX-2)表达的关系,并阐明FNS对COX-2表达的调节机制。
3.
In this article ,we want to explore the expression of cyclooxygenase-2 in injury during focal cerebral ischemia reperfusion and elucidate the neuroprotection of FNS and its mechanism of regulating the expression of cyclooxygenase-2 .
目的：诱生型环氧化酶（COX-2）作为脑缺血后基因异常表达的产物,产生自由基和炎症介质的关键酶，成为缺血神经元氧化损伤死亡机制研究的热点。
补充资料：层错
层错
stacking fault
层错stacking fauit晶体原子层理想完整堆垛次序中出现的一个差错限排)。全称堆垛层错。是晶体中常见的一种面缺陷。以fcc晶体为例说明。fcc晶体fec理想堆垛可以视为由全同的{111}原子面密积堆垛而成(见图)。如称第一层为A，则第二层落在B位置，第三层落在C位置，第四层又为A位置。如此重复堆垛，形成无限序列…A B C A BC…，这就是理想的完整晶体。若有某生个B层在A层之上整个滑’移到C位置(1/6<112>滑移)，即是实现如下的进程: …ABC ABC ABC… CA BCA…于是原序列…A B C A B C A BC.二变为 .”A B cA{一c A B c A Bc…可见在l标记之处出现一个堆垛次序之误排，这里就是一个层错。在l处抽去一个B层，让上面的C层落下至A层之上，也形成同样的层错。在fcc晶体中通常有3种主要的设想的操作过程形成层错:①{111}面的1/6(112>滑移;②抽去一个{111}层，并令上下岸弥合;③插入一个{111}层。后两种过程可以通过空位或1 14填隙原子的凝聚而实现。 hcp晶体在(0001)面也可以形成层错。(0001)面的堆垛次序为…ABABAB.一若变为…ABA那BCB…，则在l处出现一个层错。bcc晶体{112}面为6层，为一个周期的堆垛，在此面上也可形成层错。其他各种不同晶体中可能出现的层错形式视其结构差异而不同。 层错单位面积的表面能称为层错能，一般记为补在密集结构晶体中，层错的引入不改变最近邻关系，只改变次近邻关系，且几乎不产生畸变，所以层错能的主要来源应是电子能。层错能可以用电子显微术观察而实测，或从一些其他观测结果推出，也可以理论计算。其数值例如在AI中为数百尔格每平方厘米，而在Au中则仅数十尔格每平方厘米。 层错的边界为不全位错，层错的存在和性质制约这些不全位错的运动。(杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条