2) "micromorph" tandem solar cell
非晶硅/微晶硅叠层电池
1.
Pin/pin "micromorph" tandem solar cells were deposited by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD).
采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池。
3) a-Si/μc-Si tandem solar cells
非晶硅/微晶硅(a-Si/μc-Si)叠层太阳电池
4) a-Si/μc-Si tandem solar cell
非晶/微晶叠层电池
1.
The effect of NP tunnel on thin film a-Si/μc-Si tandem solar cells is described in this paper.
本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。
5) a Si tandem solar cells
非晶硅基叠层太阳电池
6) a-Si/a-Si tandem solar cells
非晶/非晶叠层太阳电池
补充资料：氢化非晶硅（amorphousSi:H）
氢化非晶硅（amorphousSi:H）
含有大量硅氢键的非晶硅称为氢化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氢合金，a-Si:H中含氢量达3～50。a-Si:H通常采用辉光放电法或溅射法制备，其电导及光电性质密切依赖于制备条件。a-Si:H中的氢能够补偿非晶硅中大量存在的悬挂键，使其缺陷态密度大大降低，从而导致a-Si:H具有显著的掺杂效应，电导率可改变约10个量级。a-Si:H具有比晶体硅更高的光电导响应，光电导与暗电导比值可达104～105。a-Si:H的光学带隙约1.7eV，对整个太阳光谱的吸收系数大于104cm-1，1μm厚的a-Si:H薄膜可以实现对太阳光谱的完全吸收，因此它成为廉价太阳电池的基础材料。a-Si:H的另一重要用途是用a-Si:H制作的薄膜场效应管作为液晶显示屏的开关矩阵。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条