1) high impedance coatings
高阻抗膜
1.
The necessary conditions of microarc oxidation is the formation of high impedance coatings on surface of the samples deposited by electrochemical reaction of metal cation generated by anode discharge and anion in the electrolyte.
结果表明:微弧氧化现象只发生于NaF电解液中,起弧前样品表面的沉积膜为MgF2,起弧后膜层由MgF2和MgO两相组成;NaCl和NaI电解液中的两组样品既无微弧氧化现象发生,又未发现任何沉积膜层;微弧氧化初期阳极放电产生的金属阳离子与溶液中的阴离子形成沉积于样品表面的高阻抗膜层是微弧氧化过程进行的必要条件。
2) membrane resistance
膜阻抗
1.
The membrane resistance was obtained by the difference of the resistances with and without membrane.
1 mol/L硫酸电解质溶液在有无膜时的阻抗值,采用有膜时的阻抗减去无膜时阻抗值得到了不同条件下的膜阻抗。
2.
This model focused on modeling membrane resistance of the cell.
在分析大量文献的机理模型和经验模型的基础上,将机理和经验两种建模方法良好结合,重点是改进电池膜阻抗部分的模型,目的是使得到的PEMFC电压模型因为基于机理基础而具有灵活的有效性,同时又有经验的形式而具有适合控制的简单性。
3) Impedance films
阻抗膜
4) membrane impedance
膜片阻抗
6) high impedance
高阻抗
1.
Cause analysis for augmented supplementary load loss of high impedance transformers;
高阻抗变压器附加损耗增大的原因分析
2.
In th e paper,the author introduces the practice of revamping a normal power 30t arc furnace into a high impedance UHP arc furnace.
将普通功率电弧炉改造为高阻抗电弧炉具有投资少,效果好,产量大幅度提高,经济效益显著的突出优点。
3.
The paper explains the circuit design principle and assmbly technology of the high impedance voltmeter made by ourselves.
阐述自制高阻抗伏特计的电路设计原理与组装技术。
补充资料：星接阻抗和三角接阻抗的变换
星接阻抗和三角接阻抗的变换
transformation between starc-onnected and delta-connected impedances
x ing]一e乙日kongl介e sonJ一00}Iez日伙ongde匕一。一〕huon星接阻抗和三角接阻抗的变换(t ransfor-mation betweenstar一eonneeted and delta-eonneeted imPedanees)接成星形的三个阻抗和接成三角形的三个阻抗互相替代的等效变换。它们之间的关系可用一组变换公式表示。按这组公式，用星接阻抗替换三角接阻抗或者反过来，不会影响稳态下电路其他部分的正弦电压和电流，常用于对称三相电路的分析和计算。 图1为三个阻抗21、Z:、23接成星形(又称丫形)。图2为三个阻抗Z小22。、Zal接成三角形(又称△形)。它们之间的变换公式如下:人23土图1星接阻抗图2三角接阻抗(1)将星形连接变换成三角形连接212一Z:+22+2 122及3一22+za十警(1)、|冬|矛231一23+21+2321(2)将三角形连接变换成星形连接z、-二一典乒兴-) 艺‘2士乙“3十乙31…_2 oqZI，}Z。一下万~一二-二二-汁 乙‘2士乙23十乙3‘1_Z。IZoq}艺q一二二一~二，二二--，-二二-~J 乙12十乙23十艺32夕(2) 当三个星接阻抗相等，即21一Z:一23一z丫、三个三角接阻抗相等即212一223一231一Z△时，变换公式是 Z二一32丫，Z丫一Z△/3
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参考词条