1) Ar/N2 flow rate
氩气/氮气流量比
3) the nitrogen concentration
氮气流量
1.
Influence of the nitrogen concentration on the growth of large area diamond film;
氮气流量对金刚石膜生长的影响
4) argon flow
氩气流向
1.
The results indicate as follows:The improving thermal system by changing the pattern of argon flow and the size of heater thermal stove can lower contents of oxygen and carbon in CZSi,spend less time in crystal growth process with less energy consumption and better crystal quality.
实验结果表明,通过改变氩气流向和加热器的尺寸的改进型热系统,可降低了硅单晶中的氧、碳含量,缩短拉制晶体时间,降低消耗功率,提高硅单晶质量。
5) ratio O2 /Ar
氧氩流量比
6) ratio of gas flowrate
气体流量比
1.
Effect of ratio of gas flowrate on Si_3N_4 thin films prepared by reactive magnetron sputtering;
气体流量比对反应溅射Si_3N_4薄膜的影响
补充资料：氩39-氩40法测年
分子式：
CAS号：
性质：将含钾样品放入核反应堆中接受快中子照射，40K核被打进一个中子，而后放出一个质子，形成39Ar，用质谱计测定被照射样品的40Ar/39Ar比值，代替常规钾-氩法中40Ar/40K比值，从而计算出样品年龄的方法，计算公式如下：t=λ-1ln(1+J•40Ar/39Ar)。式中J=39Ar/40Ar•λ/λkΔT∫φ(ε)σ(ε)dε是样品照射持续的时间，Ф(ε)是能量为ε时的中子通量，σ(ε)为39K(n，p)39Ar的反应截面，实验中用一已知年龄(ts)的标准与待测样品一块进行辐照，由下式求得J值：J=(eλt-1)/(40Ar/39Ar)。此方法解决了过去钾、氩分别由不同方法测定所产生的不同误差使年龄精度较低的弊端；同时由于照射后样品氩的释放可采用阶段加温方法，对一个样品便可获得一系列的表面年龄，最终得到代表矿物或岩石结晶的稳定坪年龄；或由等时线法处理得到样品的年龄、认识外来氩的混入状况。
CAS号：
性质：将含钾样品放入核反应堆中接受快中子照射，40K核被打进一个中子，而后放出一个质子，形成39Ar，用质谱计测定被照射样品的40Ar/39Ar比值，代替常规钾-氩法中40Ar/40K比值，从而计算出样品年龄的方法，计算公式如下：t=λ-1ln(1+J•40Ar/39Ar)。式中J=39Ar/40Ar•λ/λkΔT∫φ(ε)σ(ε)dε是样品照射持续的时间，Ф(ε)是能量为ε时的中子通量，σ(ε)为39K(n，p)39Ar的反应截面，实验中用一已知年龄(ts)的标准与待测样品一块进行辐照，由下式求得J值：J=(eλt-1)/(40Ar/39Ar)。此方法解决了过去钾、氩分别由不同方法测定所产生的不同误差使年龄精度较低的弊端；同时由于照射后样品氩的释放可采用阶段加温方法，对一个样品便可获得一系列的表面年龄，最终得到代表矿物或岩石结晶的稳定坪年龄；或由等时线法处理得到样品的年龄、认识外来氩的混入状况。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条