1) material containing flaws
缺陷介质
1.
Dynamic caustics experiment of crack propagation in material containing flaws under blasting load
爆炸载荷下缺陷介质裂纹扩展的动焦散试验
2) medium defect
介质缺陷
3) quality deficiency
质量缺陷
1.
The generate reason and prevention and cure and management measures of concrete quality deficiency;
混凝土质量缺陷的产生原因及防治和处理措施
2.
The deficiency of flavor,sensitive evaluation,base liquor,as well as the quality deficiency of liquor made by new technology is described in detail.
详细地介绍了白酒的香味缺陷,感官鉴评中的缺陷,基酒的缺陷及新工艺白酒的质量缺陷,重点介绍了感官缺陷和新工艺白酒质量缺陷的成因和解决方法。
4) Quality Defects
质量缺陷
1.
The quality defects and precautionary measures of post-prestressed concrete component;
后张拉预应力砼构件质量缺陷原因及预控措施
2.
Analysis & handling on quality defects of hole-digging grouting pile of bridge;
桥梁钻孔灌注桩质量缺陷的分析与处治
3.
Application of quality defects analysis symposium in management of medical quality;
质量缺陷分析讨论会在持续改进医疗服务质量中的作用
5) quality defect
质量缺陷
1.
Construction quality defect and improved measures case on long auger CFG pile;
长螺旋CFG桩施工质量缺陷及改进措施实例
2.
Study on construction quality defect of shield tunnel;
盾构隧道施工质量缺陷浅谈
3.
Analysis and treatment of common quality defects in concrete construction of hydropower station;
水电站混凝土施工常见质量缺陷产生原因分析及处理技术
6) ability defects
素质缺陷
1.
The text analyzed reasons of these ability defects and discussed countermeasures to be taken.
本文对导致我国执业药师这一素质缺陷的原因进行剖析,探讨解决对策。
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条