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1)  GaN growth model
GaN生长模型
2)  GaN growth
GaN生长
3)  growth of GaN
GaN外延生长
4)  growth model
生长模型
1.
Microstructure and growth model of C/C composites by chemical vapor infiltration;
CVI炭/炭复合材料微观结构和生长模型
2.
Estimating rice yield based on quantitative remote sensing inversion and growth model coupling;
基于定量遥感反演与生长模型耦合的水稻产量估测研究
3.
Impact on forest growth and related growth models of the Pinus massoniana population invaded by Bursaphelenchus xylophilus;
松材线虫(Bursaphelenchus xylophilus)入侵对马尾松(Pinus massoniana)林分生长的影响及相关生长模型(英文)
5)  growth models
生长模型
1.
A review on growth models of mixed forests;
混交林生长模型研究进展
2.
Moreover,t echniques of controlling microorga nisms and the application of growth models in minimally proceed vegetable are disc ussed.
主要介绍我国蔬菜业的生产现状,切割菜的研究概况,切割菜中微生物的主要来源,切割菜微生物控制技术的研究以及微生物生长模型在切割菜研究中的应用,为我国切割菜的品质控制提供参考。
3.
Depending on the integrated stand growth models of Cunninghamia lanceolata in Huitong, this paper established the natural growth models of the full stocking stand and the common stands of Cuuninghamia lanceolata in Huitong.
检验结果表明,这组生长模型可以满足林业生产和科研的精度要求。
6)  logistic growth model
Logistic生长模型
1.
Logistic growth model and its applicability for predicting settlement during the whole process;
全过程沉降量预测的Logistic生长模型及其适用性研究
补充资料:Ga

元素中文名:镓 原子量:69.735 熔点:9.78c 原子序数:31

元素英文名: gallium 价电子:4p1 沸点:2403c 核外电子排布: 2,8,18,3

元素符号: ga 英文名: gallium 中文名: 镓

相对原子质量: 69.72 常见化合价: +3 电负性: 1.8

外围电子排布: 4s2 4p1 核外电子排布: 2,8,18,3

同位素及放射线: ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]

电子亲合和能: 48 kj·mol-1

第一电离能: 577.6 kj·mol-1 第二电离能: 1817 kj·mol-1 第三电离能: 2745 kj·mol-1

单质密度: 5.907 g/cm3 单质熔点: 29.78 ℃ 单质沸点: 2403.0 ℃

原子半径: 1.81 埃 离子半径: 0.62(+3) 埃 共价半径: 1.26 埃

常见化合物: gao ga2o ga2o3

发现人: 布瓦博德朗 时间: 1875 地点: 法国

名称由来:

拉丁文:gallia(法国)。

元素描述:

柔软的蓝白色金属。

元素来源:

见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。

元素用途:

用于半导体工业,制造led(发光二极管)和砷化镓激光二极管。

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参考词条