1) nanocrystalline ribbon
纳米晶带材
2) amorphous-nanocrystalline film
非晶纳米晶带材
1.
Characteristic analysis of giant magneto-impedance sensor in amorphous-nanocrystalline film;
非晶纳米晶带材巨磁阻抗磁传感器特性分析
3) Fe-based nanocrystalline ribbon
铁基纳米晶带材
1.
Effect of annealing temperature on the high frequency permeability for Fe-based nanocrystalline ribbon;
退火温度对铁基纳米晶带材高频磁导率的影响
4) nanocrystalline material
纳米晶材料
1.
Compared with the normal materials with the same composition, nanocrystalline materials possess much higher strength but lower ductility.
纳米晶材料的强度远高于同成分的普通材料,而塑性却低于同成分的普通材料;纳米晶材料可在更低的温度、更高的应变速率下发生超塑性变形。
2.
The electrodepositing technology for preparing nanocrystalline materials is a process in which suitable technological conditions were controlled, and nanocrystalline composites with many excellent properties were obtained.
纳米晶材料电沉积工艺是在传统电沉积工艺的基础上,通过控制适当的工艺条件,最终获得具有各种性能的纳米晶电沉积层的过程。
3.
A variety of methods for preparing nanocrystalline materials is discussed.
介绍了软化学制备纳米晶材料的各种制备方法及其优缺点。
5) nanocrystalline materials
纳米晶材料
1.
The electrochemical methods,such as DC,pulse,composite,jet,ultrasonic and brush electrodeposition and their mechanisms for preparation of nanocrystalline materials are described.
介绍了用电沉积技术制备纳米晶材料的方法和机理,如直流电沉积、脉冲电沉积、复合电沉积、喷射电沉积、超声波电沉积和刷镀,展望了电沉积纳米晶材料的应用前景。
2.
The grain growth of nanocrystalline materials is reviewed,the isothermal grain growth kinetic theory of nanocrystalline materials is also addressed.
本文综述了纳米晶材料晶粒长大的研究进展,简述了纳米晶材料晶粒长大的等温动力学理论,讨论了溶质原子、孔洞、第二相粒子和微观应变对纳米晶材料晶粒长大的影响。
3.
The characteristics of nanocrystalline materials were overviewed as well as its preparation principles and methods.
综述了纳米晶的特点,纳米晶材料电沉积制备的原理和方法,介绍了电沉积纳米晶镍及镍基材料的硬度、拉伸性能、应力、耐磨、耐蚀性及热稳定性等性能研究及其应用现状。
6) nanocrystalline bulk material
纳米晶块材
1.
5B9 amorphous powder, followed by rapid solidification, nanocrystalline bulk material was obtained.
5B9非晶粉体,快速凝固后得到纳米晶块材。
补充资料：纳米晶硅
分子式：
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条