1) Silicon carbide addition
碳化硅加入量
2) amount of carbon addition
碳加入量
1.
The effects of sintering technique and amount of carbon addition on microstructure and mechanical properties of the Mo_2FeB_2 based cermets were studied by scanning electron microscopy(SEM),energy dispersive X-ray spectroscopy(EDS) and X-ray diffraction(XRD).
采用反应烧结法制备了Mo_2FeB_2基金属陶瓷,用扫描电镜、能谱仪及X射线衍射仪等手段研究了烧结工艺和碳加入量对其显微组织和力学性能的影响。
4) carborundum heating element
碳化硅加热元件
5) Si/SiC
硅/碳化硅
1.
Study on evolution of microstructure and phases in Si/SiC composites during high temperature heat treatment;
硅/碳化硅高温热处理中组织及相组分变化
2.
Transformation of Microstructure and Phase in Si/SiC Materials during High Temperature Heat Treatment;
硅/碳化硅在高温热处理过程中的组织变化
补充资料：碳化硅膜
分子式：
CAS号：
性质：硅碳化合物的薄膜。SiC机械强度高，耐高温和耐腐蚀性优良，块体SiC的硬度为HV22.5～25GPa。SiC薄膜可用化学气相沉积(CVD)、反应溅射、射频溅射和射频离子镀等方法制备。在多数情况下，得到α-SiC和β-SiC共存的双相组织，硬度为HV25～40GPa。用CVD法制备的SiC膜的晶体结构和硬度与基材的温度密切相关，为了得到高质量的单晶膜，基体反应温度应保持在1000～1500℃。SiC膜除用作耐磨镀层外，还可用作薄膜热敏电阻器，光电子学和高温半导体器件，以及聚变堆的第一壁材料。
CAS号：
性质：硅碳化合物的薄膜。SiC机械强度高，耐高温和耐腐蚀性优良，块体SiC的硬度为HV22.5～25GPa。SiC薄膜可用化学气相沉积(CVD)、反应溅射、射频溅射和射频离子镀等方法制备。在多数情况下，得到α-SiC和β-SiC共存的双相组织，硬度为HV25～40GPa。用CVD法制备的SiC膜的晶体结构和硬度与基材的温度密切相关，为了得到高质量的单晶膜，基体反应温度应保持在1000～1500℃。SiC膜除用作耐磨镀层外，还可用作薄膜热敏电阻器，光电子学和高温半导体器件，以及聚变堆的第一壁材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条