1)  instrument circuit design
仪器电路设计
2)  instrument
仪器
1.
Research of testing instrument in the fabric diffuse eight directions leading the wet;
织物八方向导湿性测试仪器的研究
2.
Review and Prospect of Textile Detection Technology and Test Instruments;
纺织检测技术与仪器发展的回顾及前瞻
3.
Overseas Development of Instruments for Determination of Oxygen Demand in Water;
国外水样中各种耗氧量测定仪器进展
3)  apparatus
仪器
1.
The test methods and apparatus for fabric diffusion moisture performance;
织物导湿性能测试方法与测试仪器
2.
Calibration of geodetic apparatus and its property analysis;
大地测量仪器检定与性能分析
3.
Quality administration of apparatus in ISO9000 quality administration system in blood centers;
血站ISO9000质量管理体系中仪器设备的质量管理
4)  instruments
仪器
1.
The anti-interference techniques applied in instruments;
测控仪器中的抗干扰技术
2.
Research and development on the differential resistance type instruments;
差阻式仪器的发展和应用
3.
Molecular Biology and Related scientific instruments;
分子生物学的发展和相关科学仪器的进展
5)  Instrumentation
仪器
1.
The development of geophysical instrumentation in China;
我国地球物理仪器的发展
2.
The paper discusses the relation between instrumentation measurement and pattern recognition.
讨论了仪器测量与模式识别之间的关系。
6)  equipment
仪器
1.
Study on management of equipment;
实验室仪器设备管理初探
2.
9073-12’s requirements,a set of equipment is developed for measuring the absorbent capability and absorbent speed of fabric when the fabric’s surface is paralleling with liquid and is under different pressures and with different area of contact with liquid.
根据国际标准ISO9073—12的规定,研制了一种测试织物吸水的仪器,该仪器可测定液面与织物表面平行且在不同的压力、接触面积时织物的吸水量及吸水速度。
3.
To assure the accuracy of the density experiment of sand replacement method,from the selection of equipment,the calibration of the mass inside the down cone of sane tube and the calibration of the unit mass of measuring the sand it introduces the methods and progresses of the experiment.
为了保证灌砂法密度试验的准确性,从仪器的选择、标定灌砂筒下部锥体内量砂的质量及标定量砂的单位质量等方面介绍了该试验的方法步骤,就灌砂法的原理和适用范围做了概述,提出了试验操作过程应注意的要点,从而提高试验精度。
参考词条
补充资料：集成电路版图设计规则
    　　集成电路版图设计规则的作用是保证电路性能，易于在工艺中实现，并能取得较高的成品率。版图设计规则通常包括两个主要方面：①规定图形和图形间距的最小容许尺寸；②规定各分版间的最大允许套刻偏差。
　　
　　集成电路制作中，各类集成元件、器件及其间的隔离与互连等是在一套掩模版的控制下形成的。一套掩模版通常包括 4～10块分版。每一块分版是一组专门设计的图形的集合，整套版中的各分版相互都要能精密地配合和对准。整套掩模版图形(简称版图)的设计，是把电路的元件、器件和互连线图形化，用它来控制制备工艺，使集成电路获得预期的性能、功能和效果。例如，增强型负载硅栅N沟道MOS型集成电路需要4块分版,分别用以确定有源区、多晶硅、接触孔和铝连线。4组图形的规则是：
　　　 有源区条宽与间距
　　
　　
　　
　　 6μm/6μm
　　　 多晶硅条宽与间距
　　
　　
　　
　　 8μm/6μm
　　　 接触孔尺寸
　　
　　
　　
　　
　　　 6μm×6μm
　　　 铝连线条宽与间距
　　
　　
　　
　　 6μm/6μm
　　　 多晶硅-有源区套刻量(ɑ)
　　
　　　 2μm
　　　 多晶硅出头长度(b)
　　
　　
　　
　　4μm
　　　 接触孔-有源区套刻量(c)
　　
　　　 2μm
　　　 接触孔-有源区上多晶硅套刻量(d)　 4μm
　　　 接触孔-隔离区上多晶硅套刻量(e)　 2μm
　　　 铝连线-接触孔套刻量(f)
　　
　　　 2μm
　　
　　
　　不同类型的集成电路所需要的分版数不同，具体的版图设计规则也有差异。但制定版图设计规则的基本原则则是一致的:①需要考虑工艺设备状况(如光刻机的分辨率和对准精度)和工艺技术水平（如工艺加工中,图形尺寸侧向变化量和控制）；②避免寄生效应对集成电路的功能与电学性能的有害影响。
　　
　　通常称允许的最小图形尺寸的平均值为特征尺寸。它是对集成电路集成密度的度量，是集成电路工艺技术水平的一种标志。
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。