1) crystallization activation energy
晶化激活能
1.
The crystallization activation energy has been calculated by DTA and Kissinger equation.
非晶态合金Fe78Si9B1 3样品经短时超短脉冲电流处理 ,发生了结构弛豫 ,用DTA方法及Kissinger方程计算非晶样品的晶化激活能 ,用穆斯堡尔谱学方法研究了试样在电脉冲处理后的无反冲分数的变化 。
2.
The apparent crystallization activation energy E, is calculated to be 471.
采用Kissinger和Doylle-Ozawa方法计算了表观晶化激活能E_a,分别为471。
3.
The crystallization activation energy calculated by the onset crystallization temperatures decreases obviously.
Nb使由初始晶化温度计算的晶化激活能明显降低。
2) activation energy
晶化激活能
1.
The experimental results show that the crystallization temperature( T p) and activation energy ( E c) of the crystalline phases ( α Fe and Sm 2Fe 17 C x ) can be decreased going through pre annealing, the trend of activation energy change of α Fe phase can be changed in the crystallization process, which is helpful to formati.
结果表明 ,预退火处理使非晶合金晶化相α Fe和Sm2 Fe17Cx 的晶化温度 (Tp)和晶化表观激活能(Ec)值降低 ,且改变晶化相α Fe在晶化过程中晶化激活能的变化趋势 ,有助于该合金在晶化退火中形成晶粒尺寸较小的α Fe相。
2.
The activation energy of glass transition,crystallization and peak crystallization are 390.
2kJ/mol、晶化激活能Ex为325。
3) activation energy of crystallization
晶化激活能
1.
Crystallization kinetics of Mg_(65)Cu_(25)Y_(10)amorphous alloy is studied by differential thermal analysis(DTA); activation energy of crystallization is calculated according to Kissinger peak-shifting method and Arrhenius equation.
通过差热分析仪(DTA)研究了非晶态合金M g65Cu25Y10的晶化动力学过程,根据K iss inger峰移法和A rrhe-n ius方程计算了其晶化激活能,发现等温晶化动力学在晶化体积转变分数x为0。
4) Activation energy for crystallization
晶化激活能
1.
Knowledge of the microstructure,such as average atom distance and the scale of short range order,and the values of activation energy for crystallization at each characteristic temperature were obtained.
利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及热分析（ＤＴＡ）技术，研究了脉冲化学镀与化学镀非晶态Ｎｉ－Ｐ合金的原子分布函数及晶化过程，得出了两种非晶态合金的微观结构信息（平均原子间距，相应配位原子数和短程有序畴）及各特征温度的晶化激活能。
5) eutectic melting activity energy
共晶熔化激活能
1.
Differential scanning calorimetry (DSC) was employed to investigate the relation of deformation rate and eutectic melting activity energy of AZ91D magnesium alloy by SIMA method.
采用DSC技术研究了SIMA法制备半固态AZ91D镁合金坯料过程中形变率与共晶熔化激活能的关系。
6) apparent crystallization energy
晶化表观激活能
补充资料：多晶硅太阳能电池
多晶硅太阳能电池
polycrystaline-silicon solar cell
duoJInggul to一yongnengd一oneh-多晶硅太阳能电池(polyerystaline一siliconsolar cen)用多晶硅材料制成的pn结太阳能电池。多晶硅是由许多细小的单晶顺粒非定向排列而成，所以它的许多基本特性都和单晶硅相同。主要区别是多晶硅中的单晶颗粒之间存在着晶界，而晶界往往有许多非晶态硅原子和杂质原子。紧邻晶界的晶粒中，位错、缺陷、应力、应变也较多，使得多晶硅中由人射光激发而产生的光生载流子的寿命比较短，因而多晶硅太阳能电池中的复合电流大，开路电压、短路电流、填充因子及效率均没有单晶硅电池高。而一般的光电特~10种硅带技术在研究，其中有四种比较成熟，即:①定边喂膜法(EFG);②跳状枝晶法(DB);③硅筒法(SB);④电喷法。这四种方法获得的带硅厚约200料m.沿带硅生长方向看，晶较取向比较一致，而沿带宽方向看，晶向比较复杂，所以常称这种有纤维状晶体结构的带硅为半晶硅。用半晶硅片制成的太阳能电池，平均效率已突破10%，有的已达15%。其中:①定边喂膜法，是用刻有狭缝的石墨模具浸人硅熔液，靠毛细现象，硅液沿狭缝上升，用籽晶硅片把硅液沿狭缝冷凝后向上拉伸，即得到等宽等厚的带硅;②跳状枝晶法，是用两根细籽晶平行伸入硅熔液，靠表面张力，硅液在籽晶之间形成一个蹼状弯月面状的硅膜，把籽晶向上提伸.这种蹼状硅膜同时伸长，形成蹼状带硅;③硅筒法，是用宽约125 mm、厚约0.2 mm的9片籽晶，围成8边形，伸人硅熔液，然后向上提拉，即可得到一个8边形的硅筒，用激光分割后，即可得到厚度均匀、质量较好的硅片。由于硅筒生长速度快、切片损耗低，用硅筒基片制成的太阳能电池的效率已达12%~14.5%，因而已具备产业化的条件;④电喷法，是由多晶硅粉末电喷到耐高温衬底上，形成宽60cm、长数米、可以绕曲的多晶硅带。用这种电喷多晶硅带材料制成的光伏组件，典型的参数为:输出功率尸。、匕90Wp，短路电流I、一5.8A，开路电压Voc二21.gV，几何尺寸(LxwxH)-1633 mm派660 mmX35mm。 (5)太阳级硅:一般认为它是一种能够制造出效率大于10%的太阳能电池用的廉价硅.虽然已经花费了巨额经费摸索了多种杂质元素对太阳能电池的影响，但是至今尚无关于太阳级硅的精确定义。目前正在设法从沸腾床反应炉和从冶金硅直接纯化法制备太阳级硅。用锌催化从沸腾床反应炉产出的高纯颗粒状多晶硅，已可用作硅太阳能电池的原料。性和制作工艺与单晶硅太阳能电池相同. 因为拉制单晶硅需要消耗大量能源以及昂贵的高纯石英增祸，人们从20世纪60年代起探索以多晶硅作为制造太阳能电池的材料。
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