1) oxygen vacancy
氧空穴
2) oxygen vacancies
氧空穴
3) Hole oxidation
空穴氧化
4) oxygen ion vacancy
氧离子空穴
5) oxide hole-traps
氧化层空穴俘获
1.
Based on the two-step interface trap buildup model and the statistical thermodynamics mechanism of point defects in solids, a relation between the radiation induced increase of oxide hole-traps and the buildup of interface traps in MOSFET is proposed.
基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式。
6) Void
[英][vɔɪd] [美][vɔɪd]
空穴
1.
Design method of reinforcement over voids and discussion;
空穴加筋的设计方法及讨论
2.
Furthermore,three ductile damage mechanisms were proposed,which are shear damage without the influence of voids, shear-form void damage and tensile form void damage.
以45中碳钢为研究对象,进行了拉伸、压缩、扭转、精冲实验,并结合有限元对各实验过程中的应力三轴度和延性损伤进行了分析,归纳了金属材料的3种延性损伤机理:无空穴影响剪切损伤、剪切型空穴损伤和拉伸型空穴损伤。
3.
The isolated big void behavior in the tension PM specimen has been ana lyzed by Gurson constitutive model.
讨论了不同位置和不同形状的微空洞对空穴形核、长大及材料的破坏机理的影响。
补充资料：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
CAS：36366-93-5
分子式：C14H22O5
中文名称：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
英文名称：Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
分子式：C14H22O5
中文名称：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
英文名称：Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条