2) silicon dioxide films
二氧化硅薄膜
1.
FT-IR study of silicon dioxide films fabricated by rapid thermal oxidation;
快速热氧化制备二氧化硅薄膜的红外研究
4) mesoporous silica film
介孔氧化硅薄膜
1.
Vapor phase treatment with tetraethyl orthosilicate (TEOS) was used to improve the performance of methylated mesoporous silica films spin-coated on silicon wafers.
介孔氧化硅薄膜在常温常湿条件下存放15d后,介电常数仍旧维持在超低值范围内,k=1。
2.
The research concerns in the preparation and TiO2 assembly of mesoporous silica films at ambient pressure by sol-gel technique.
采用正硅酸乙酯(TEOS)作硅源,分别以阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和两亲性三嵌段共聚物(EO20PO70EO20)为模板剂,盐酸为催化剂,利用溶胶-凝胶工艺(sol-gel),通过提拉法在常压下制备介孔氧化硅薄膜。
5) Silicon oxides film
硅氧化物薄膜
6) monox-plated film
镀氧化硅薄膜
1.
Properties and processes of poly(vinyl alcohol) films,monox-plated films, alumina-plated films, films with air permeability, and shielding films with electro-magnetics developed in recent years were introduced.
介绍了国内外近年来新开发的聚乙烯醇薄膜、镀氧化硅薄膜、镀氧化铝薄膜、微波炉用电磁屏蔽薄膜及透气性薄膜等几种功能性薄膜的特性及生产技术。
补充资料：一氧化硅薄膜介质材料
分子式：
CAS号：
性质：黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40～100pF/mm2，电容温度系数(40～400) ×10-6，介质损耗因数tgδ(1～4) ×10-2，击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
CAS号：
性质：黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40～100pF/mm2，电容温度系数(40～400) ×10-6，介质损耗因数tgδ(1～4) ×10-2，击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条