1) amorphous SiO_x:H films
非晶氧化硅薄膜
2) a-Si:H thin film
氢化非晶硅薄膜
1.
Analysis of IR transmission spectra and hypothesis of bond-centered H diffusion in a-Si∶H thin films during light-induced thermal annealing;
氢化非晶硅薄膜的红外光谱分析和桥键氢扩散假设(英文)
3) a-SiN x:H films
非晶氮化硅薄膜
4) amorphous titanium dioxide film
非晶氧化钛薄膜
5) amorphous oxide film
非晶氧化薄膜
6) a-Si:H TFT
氢化非晶硅薄膜晶体管
补充资料：非晶氧化硅
分子式：
CAS号：
性质：玻璃态氧化硅和各种无定形氧化硅的总称。结构为连续而混乱的SiO4四面组成的网络。密度2.2g/cm3。具有高的化学稳定性、低的热膨胀系数(5.5×10-7℃)、高热冲击抗力。杨氏模量73GPa。剪切模量31GPa。泊松比0.17。极限强度1.6～2.3GPa。采用熔融过冷等方法制取。用于制造化学分析器皿、热电偶套管、透镜等。
CAS号：
性质：玻璃态氧化硅和各种无定形氧化硅的总称。结构为连续而混乱的SiO4四面组成的网络。密度2.2g/cm3。具有高的化学稳定性、低的热膨胀系数(5.5×10-7℃)、高热冲击抗力。杨氏模量73GPa。剪切模量31GPa。泊松比0.17。极限强度1.6～2.3GPa。采用熔融过冷等方法制取。用于制造化学分析器皿、热电偶套管、透镜等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条