1) film material
薄膜材料
1.
The measuring thermal diffusivity of film materials by laser photoacoustic backing exciting technique;
利用激光光声技术测量薄膜材料的热扩散率
2.
Three types oxygen nanometer particle film materials, including transitional metal oxide (MoOx TiOx and CrOx etc.
采用溶胶－凝胶工艺制备了用于汽车新型传感器的氧敏薄膜材料，包括过渡金属氧化物（ＭｏＯｘ、 ＴｉＯｘ、 ＣｒＯｘ）、钙钛矿型（ＳｒＴｉＯ３／ＬａＮｉＯ３、 ＬａＮｉＯ３、 ＬａＣｒＯ３）和类钙钛矿型（Ｌａ１－ｘＭｘＮｉＯ４）纳米粒子薄膜。
3.
This paper intruduces a new type of film thermocouple specially designed for the study of internal combustion engine heat transfer as well as some technical means to solve the problems in process such as the film material, filming method and the relationship between film temperature and heated voltage.
介绍了用于内燃机壁面瞬态传热过程研究的一种新型膜温可控式表面热电偶，并给出了研制过程中某些技术问题的解决方法，分析了薄膜材料的选取，镀膜方法及膜温和加热电压的关系等。
2) thin film
薄膜材料
1.
In this thesis, ultrafast optical properties for thin film materials and telluride glasses with Er2O3 dopant are main topics.
本论文的主要工作是利用飞秒激光对薄膜材料和掺铒碲酸盐玻璃材料的光学特性进行研究。
2.
Under above background, the works in this thesis focus on the optical properties of Er doped HfO_2 thin film, Er-Tm-codoped Al_2O_3 thin film and Er doped Si-rich Al_2O_3 film.
本文围绕掺Er薄膜材料发光特性,研究了掺Er HfO_2薄膜材料、饵铥共掺Al_2O_3薄膜材料以及掺Er富硅Al_2O_3薄膜材料,并且取得如下结果:1。
3.
Previous experimental tests have demonstrated that the multilayered Cr/PZT/PLT/Pt/Ti thin films deposited on single crystal Si substrate tend to delaminate along the interface between PZT and Cr layers in a brittle manner.
实验测试表明,单晶硅基板上磁控溅射沉积的多层薄膜材料Cr/PZT/PLT/Pt/Ti容易沿着Cr/PZT界面端开裂并发生分层破坏。
3) film materials
薄膜材料
1.
Optical hydrogen film materials based on palladium are the most important species of optical hydrogen film materials.
Pd基光学氢敏感薄膜材料是光学氢敏感薄膜材料最为重要的一类,主要包括Pd,Pd/Ni合金,Pd/WO3,Pd/MoO3,Pd/TiOx,Pd/MoS2等薄膜材料。
4) thin film materials
薄膜材料
1.
Extensive and potential applications of field-electron-emission thin film materials in field emission display(FED),electron source,and other high-performance vacuum microelectronic devices have attracted interests and attentions of many researchers.
场致电子发射(场发射)薄膜材料由于在场发射平板显示器、电子源等诸多高性能真空微电子器件上具有广阔的应用前景,引起了人们广泛的关注与研究兴趣。
5) thin films
薄膜材料
1.
Neutron reflectometry(NR)has been widely used in characterizing the structure and property of thin films,and it plays an indispensable role in studies of magnetic and organic thin films especially.
中子反射技术作为薄膜材料结构和性能表征手段之一,目前得到了广泛的应用,尤其是在磁性薄膜和有机薄膜等研究领域的某些方面更有其不可替代的作用。
6) CoSi2 film
CoSi_2薄膜材料
补充资料：半导体薄膜材料制备
半导体薄膜材料制备
preparation of semiconductor thin film
匕andQot一bomo eoiliao Zhlbei半导体薄膜材料制备(preparation of Semi-conduetor thin film)在衬底材料上生长半导体薄膜，是半导体材料制备的重要方法。所用的衬底可以是半导体材料，也可以是非半导体材料;衬底与薄膜可以是单晶、多晶或非晶材料。根据衬底与薄膜材料的晶体结构，薄膜可分为外延薄膜、微晶薄膜、非晶薄膜等。 外延一种在单晶衬底的表面上沉积原子，并与衬底晶体的结构按一定关系生长和形成单晶薄膜的工艺。当沉积层与衬底是同种材料时称为同质外延，如硅沉积在硅衬底上;而当沉积层与衬底不是同种材料时则称为异质外延，为GaAIA，沉积在GaAs衬底上。 按外延的定义，必须满足以下2个条件:(1)外延层和衬底的晶体结构必须具有共同的结晶空间群;(2)外延层和衬底的点阵参数必须尽量匹配。点阵失配度为: 。~aL一a，/a。，式中aL和a。分别为外延层衬底的点阵参数，入，为其平均值。当。簇1。一“时，外延层和衬底可以保持真正的点阵平面连续性。如果:>1。一“，则界面有产生失配位错和增加外延层成核困难的趋势。 外延的方法有化学气相外延、液相外延、固相外延、MOCVD外延、分子束外延、化学束外延、离子束外延、离子团束外延、物理气相外延等。 在化合物半导休材料单晶薄膜生长中，选用上述方法，可以在同质或异质衬底上生长各种多层、薄层和原子层的半导体薄膜，用以制备光电和微波器件以及它们的集成电路。在硅单晶薄膜生长中，为了满足器件和集成电路高集成度和高性能的要求，已开发了各种CVD工艺。低温硅外延工艺尤其获得迅速发展。这种低温工艺的优点是不但减少杂质的再分布，而且也降低异质界面上因膨胀而引起的应变和消除在超小型异质结构中不同材料之间的相互作用。 能带工程由于MOCVD和分子束外延工艺的发展，半导体薄膜生长已进入“人工裁剪”各种材料特性的“能带工程”阶段。这方面的最新成就是利用应力和应变调制外延薄膜，例如Si一Ge、GaAIAs等的能带结构，创造或改善半导体单晶薄膜和器件的电子行为，从而人工地生长出具有特殊性能的新型结构材料，以满足微电子和光电子器件以及集成电路向高速、高效、高功率和小型化发展的需要。用MOCVD和分子束外延研制应变层超晶格、异质结构(如Si/GaAs、CdT。/Si);调制掺杂，原子层和原子掺杂薄膜材料已成为半导体薄膜生长的新方向。 非外延薄膜制备非晶、微晶、多晶薄膜的方法有化学气相沉积法、磁控溅射法、等离子增强化学气相沉积法、光激励化学气相沉积法等。 (彭瑞伍)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条