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1)  Bi-YIG film materials
Bi-TIG薄膜材料
2)  film material
薄膜材料
1.
The measuring thermal diffusivity of film materials by laser photoacoustic backing exciting technique;
利用激光光声技术测量薄膜材料的热扩散率
2.
Three types oxygen nanometer particle film materials, including transitional metal oxide (MoOx TiOx and CrOx etc.
采用溶胶-凝胶工艺制备了用于汽车新型传感器的氧敏薄膜材料,包括过渡金属氧化物(MoOx、 TiOx、 CrOx)、钙钛矿型(SrTiO3/LaNiO3、 LaNiO3、 LaCrO3)和类钙钛矿型(La1-xMxNiO4)纳米粒子薄膜。
3.
This paper intruduces a new type of film thermocouple specially designed for the study of internal combustion engine heat transfer as well as some technical means to solve the problems in process such as the film material, filming method and the relationship between film temperature and heated voltage.
介绍了用于内燃机壁面瞬态传热过程研究的一种新型膜温可控式表面热电偶,并给出了研制过程中某些技术问题的解决方法,分析了薄膜材料的选取,镀膜方法及膜温和加热电压的关系等。
3)  thin films
薄膜材料
1.
Neutron reflectometry(NR)has been widely used in characterizing the structure and property of thin films,and it plays an indispensable role in studies of magnetic and organic thin films especially.
中子反射技术作为薄膜材料结构和性能表征手段之一,目前得到了广泛的应用,尤其是在磁性薄膜和有机薄膜等研究领域的某些方面更有其不可替代的作用。
4)  film materials
薄膜材料
1.
Optical hydrogen film materials based on palladium are the most important species of optical hydrogen film materials.
Pd基光学氢敏感薄膜材料是光学氢敏感薄膜材料最为重要的一类,主要包括Pd,Pd/Ni合金,Pd/WO3,Pd/MoO3,Pd/TiOx,Pd/MoS2等薄膜材料。
5)  thin film materials
薄膜材料
1.
Extensive and potential applications of field-electron-emission thin film materials in field emission display(FED),electron source,and other high-performance vacuum microelectronic devices have attracted interests and attentions of many researchers.
场致电子发射(场发射)薄膜材料由于在场发射平板显示器、电子源等诸多高性能真空微电子器件上具有广阔的应用前景,引起了人们广泛的关注与研究兴趣。
6)  thin film
薄膜材料
1.
In this thesis, ultrafast optical properties for thin film materials and telluride glasses with Er2O3 dopant are main topics.
本论文的主要工作是利用飞秒激光对薄膜材料和掺铒碲酸盐玻璃材料的光学特性进行研究。
2.
Under above background, the works in this thesis focus on the optical properties of Er doped HfO_2 thin film, Er-Tm-codoped Al_2O_3 thin film and Er doped Si-rich Al_2O_3 film.
本文围绕掺Er薄膜材料发光特性,研究了掺Er HfO_2薄膜材料、饵铥共掺Al_2O_3薄膜材料以及掺Er富硅Al_2O_3薄膜材料,并且取得如下结果:1。
3.
Previous experimental tests have demonstrated that the multilayered Cr/PZT/PLT/Pt/Ti thin films deposited on single crystal Si substrate tend to delaminate along the interface between PZT and Cr layers in a brittle manner.
实验测试表明,单晶硅基板上磁控溅射沉积的多层薄膜材料Cr/PZT/PLT/Pt/Ti容易沿着Cr/PZT界面端开裂并发生分层破坏。
补充资料:磁性材料2.薄膜磁性材料


磁性材料2.薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film

在一定外加磁场作用下,其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看,这些柱形畴好像浮着的一群圆泡,故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下,可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失,实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m),每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕,因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发,已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌,磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小,2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看,以铁氧体磁泡材料比较成熟,早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料,后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜,其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol,的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度,~p,K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│41000 ││ │ (ZMHz) │ (20MHz) │└────────┴──────┴────────┘·3.磁光材料呻〕 当前所用的磁光材料是利用磁光效应制作的磁性材料。
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参考词条