1) copper-indium-sulfur thin film
铜铟硫薄膜
3) CIGS thin film
铜铟镓硒薄膜
1.
Application of sputtering-based laminating selenylation process to preparation of CIGS thin films;
以溅射为主的叠层硒化法制备大面积铜铟镓硒薄膜
4) copper-indium sulfide
铜铟硫
1.
Synthesis and characterization of novel morphology copper-indium sulfide micro-crystals by solvothermal method;
新颖形貌铜铟硫微晶的溶剂热合成及表征
5) CuInS_2
铜-铟-硫
6) InSb-In thin film
锑化铟-铟薄膜
补充资料：二碲化铟铜晶体
分子式：CuInTe2
CAS号：
性质：周期表第I，II，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，品格常数0.606nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.95eV，电子和空穴迁移率分别为2×10-2和2×10-3m2/(V·s)。熔点780℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。
CAS号：
性质：周期表第I，II，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，品格常数0.606nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.95eV，电子和空穴迁移率分别为2×10-2和2×10-3m2/(V·s)。熔点780℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条