1) chemical vapor deposition
CVD
1.
The effects of adding fluorine, chlorine, phosphorus and oxygen in C - H systems and the effects of adding oxygen, fluorine in C - S systems on the chemical transport reaction in the production of carbon nanotube (CNT) via chemical vapor deposition(CVD) have been calculated by using software developed by scientists at Russian Academy of Science.
利用俄罗斯科学院研制的软件计算分析了CVD法制备碳纳米管过程中在碳氢体系添加氟、氯、磷、氧等元素及在碳硫体系中加入氧、氟等元素对于化学传递反应的影响,结果表明,这些元素的加入有利于传递反应的进行。
2.
Influences on the percentage of deposited carbon from hydrocarbon via chemical vapor deposition at 700 K to (1 500 K,)101×10~3 Pa and CO via chemical vapor deposition at 700 K to (1 200 K),101×10~3 Pa were calculated by use of the CVD (chemical vapor deposition) software developed by the scientists of Russia Academy of Science.
利用俄罗斯科学院研制的CVD(chemicalvapordeposition)软件计算了在101×103Pa和700K～1500K烃催化热解以及在101×103Pa和700K～1200KCO催化热解影响碳沉积率的因素,并根据碳沉积相边界点的反应物组成绘制了碳沉积边界曲线,预测了碳沉积区,计算结果对多壁碳纳米管的制备提供了有关的信息。
3.
With TiCl4+O2 reaction system, nano-TiO2 powders were prepared by radio frequency plasma chemical vapor deposition (RF-PCVD).
采用高频等离子体化学气相沉积法(RF-PCVD)法,以TiCl4 + O2为反应体系,制备出了纳米级的TiO2粉体。
2) CVD method
CVD法
1.
Industrialization synthesis for carbon nanotube by CVD method;
CVD法工业化生产纳米碳管的研究
2.
The function of carrier gas in the synthesis for carbon nanotubes by CVD method;
载气在CVD法制备纳米碳管工艺中的作用
3.
Study on Production (CVD method), Characterization of Carbon Nanotubes and Application in Catalysis;
纳米碳管的制备（CVD法）、表征及其在催化中的应用
3) CVD
CVD法
1.
Synthesis of Multiwall Carbon Nanotubes by CVD Method;
多壁碳纳米管的CVD法制备
2.
Investigation of a new type nano carbon film prepared by high energy plasma assisted CVD;
高能等离子体辅助CVD法新型纳米碳膜的制备及分析
3.
Computer Simulation for the Preparation of Fe 6 5%Si Sheet by the CVD Method;
CVD法制取Fe-6-5% Si薄板的扩散工艺计算机模拟
4) chemical vapor deposition
CVD法
1.
C plasma chemical vapor deposition in industrial set up for deposition of TiN coatings on cemented carbide SC30 was performed.
研究表明 :PCVD法 Ti N系薄膜的微观组织形态明显优于同类的 CVD法薄膜 ,PCVD法薄膜晶粒尺寸细小、均匀 ,形态圆整 ,组织致密 ;CVD法薄膜晶粒形态为多边形 ,尺寸较粗大、不均匀 ,组织致密性差 ;PCVD法 Ti N系薄膜的韧性和结合力等力学性能可达到或优于同类 CVD法薄膜 ;虽然 PCVD法薄膜的氯含量 (约为 2 % )远高于 CVD法薄膜 (约为 0 。
5) Thermal CVD
热CVD
1.
The Effect of Silane Flow Rate on Nano-Silicon Powder Production by Silane Thermal CVD;
硅烷流量对硅烷热CVD法制备纳米硅粉的影响
6) CVD
CVD 法
1.
The composite powder is prepared by mixing pure Cu and CNT-Cu composite powder,which is in-situ synthesized by CVD using a novel Ni/Y catalyst supported on copper for the first time.
本文首次采用 CVD 法在以铜为载体的催化剂 Ni/Y 上原位制备了 CNT—Cu 复合粉末,然后将此复合粉末与一定量的纯铜粉研磨混合后采用粉末冶金法制备了 CNTs 增强 Cu 基复合材料。
补充资料：CVD
分子式：
CAS号：
性质：利用气相化学反应在基底上沉积另一种固体材料的方法，常用于制取固体薄膜。化学气相沉积过程包括气相反应物的生成、气相反应物的输运和沉积。利用化学气相沉积方法可以得到从非晶态、晶态到外延单晶薄膜等各种材料，是一种应用非常广泛的化学合成方法。化学气相沉积还可以用于制备多种高熔点化合物薄膜。例如，高熔点的四氮化三硅可以利用氨和硅烷反应得到。其他如二氧化硅和氧化铝等薄膜也可以用此法制取。化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途。在半导体器件的制备中常常需要在半导体表面生长一定厚度的另一种电学性能不同的半导体单晶薄膜，这种薄膜可以利用化学气相沉积或化学气相外延的方法制取。
CAS号：
性质：利用气相化学反应在基底上沉积另一种固体材料的方法，常用于制取固体薄膜。化学气相沉积过程包括气相反应物的生成、气相反应物的输运和沉积。利用化学气相沉积方法可以得到从非晶态、晶态到外延单晶薄膜等各种材料，是一种应用非常广泛的化学合成方法。化学气相沉积还可以用于制备多种高熔点化合物薄膜。例如，高熔点的四氮化三硅可以利用氨和硅烷反应得到。其他如二氧化硅和氧化铝等薄膜也可以用此法制取。化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途。在半导体器件的制备中常常需要在半导体表面生长一定厚度的另一种电学性能不同的半导体单晶薄膜，这种薄膜可以利用化学气相沉积或化学气相外延的方法制取。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条