2) SiC films
SiC薄膜
1.
Study on the wear-resistance SiC films prepared by magnetron sputtering on steel;
钢基耐磨SiC薄膜制备研究
2.
Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method;
射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜
3.
The retarding effects of SiC films on tritium permeation
SiC薄膜的阻氚性能研究
3) SiC thin film
SiC薄膜
1.
Polysilynes, a new kind of high-performance materials, are reviewed on the present investigation of their synthesis, structure, reactions and applications as semiconductors, conductive SiC thin films, optical waveguides and photoresists.
本文综述了一类新型的高功能材料——聚硅炔的合成、结构、反应以及作为半导体、导电性SiC薄膜、光学波导器和光致抗蚀剂的应用的研究现状。
4) SiC film
SiC薄膜
1.
Application of sputtering technology in the SiC film preparation;
溅射技术在制备SiC薄膜中的应用
2.
Effects of annealing temperature on surface morphology and structure of SiC film
退火温度对SiC薄膜表面形貌和结构的影响
3.
Mn-doped SiC films were grown by radio frequency magnetron sputtering on silicon substrate.
采用射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了掺Mn的SiC薄膜,用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电镜及荧光光谱等方法,对薄膜的结构、表面形貌、化学键状态和光学性能进行了研究。
5) 6H-SiC films
6H-SiC薄膜
1.
Heteroepitaxial growth and characterization of 6H-SiC films on C-plane sapphire substrates using LPCVD;
C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征
6) 3C-SiC films
3C-SiC薄膜
1.
Influence of Temperature of Carbonization Gas Introduction on the Growth of 3C-SiC films;
碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响(英文)
补充资料：电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条