1) dislocation-internal friction theory
位错-内耗理论
1.
The mechanism why vibration time-effect can raise fatigue life has been come up with making use of dislocation-internal friction theory.
并用位错-内耗理论分析了振动时效提高焊件疲劳寿命的内在本质。
3) dislocation theory
位错理论
1.
Research on mechanism of vibration time-effect based on dislocation theory;
基于位错理论的振动消应力的机理研究
2.
Developments of dislocation theory, electronic microscopy and fracture theory all contribute to the investigation of this field.
50年代以来,位错理论的发展,电子显微镜的诞生,断裂学
3.
Based on slip line and stacking fault appeared on the silicon surface,the dislocation theory is used to analyze the reasons of causing dislocation and stacking fault during the bending process and study their influence on the laser bending,according to the experiment of thin silicon laser bending.
基于开展的薄硅片长脉冲激光弯曲成形实验,针对弯曲样品表面产生的滑移线和堆垛层错缺陷,结合实验所用规格硅片弯曲角度不超过35°的现象,运用位错理论分析在弯曲过程中硅晶体产生位错、层错现象的原因以及位错对激光弯曲成形的影响。
4) Dislocation model
位错理论
1.
The historic process of dislocation model applied in geodetic field is analyzed and discussed.
分析和讨论了位错理论模型的发展历史和应用领域 ,采用走滑和倾滑位错理论模型对青藏高原东北缘的多组断层活动产生的三维形变场进行了数值模拟研究 ,并将数值模拟结果与该地区 1999～ 2 0 0 1年间的GPS观测结果进行了对比分析。
5) Theory dislocation
理论错位
6) low temperature dislocation internal friction
低温位错内耗
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条