1) BCF dislocation theory
BCF位错理论模型
2) BCF theory
BCF理论
3) dislocation theory
位错理论
1.
Research on mechanism of vibration time-effect based on dislocation theory;
基于位错理论的振动消应力的机理研究
2.
Developments of dislocation theory, electronic microscopy and fracture theory all contribute to the investigation of this field.
50年代以来,位错理论的发展,电子显微镜的诞生,断裂学
3.
Based on slip line and stacking fault appeared on the silicon surface,the dislocation theory is used to analyze the reasons of causing dislocation and stacking fault during the bending process and study their influence on the laser bending,according to the experiment of thin silicon laser bending.
基于开展的薄硅片长脉冲激光弯曲成形实验,针对弯曲样品表面产生的滑移线和堆垛层错缺陷,结合实验所用规格硅片弯曲角度不超过35°的现象,运用位错理论分析在弯曲过程中硅晶体产生位错、层错现象的原因以及位错对激光弯曲成形的影响。
4) Dislocation model
位错理论
1.
The historic process of dislocation model applied in geodetic field is analyzed and discussed.
分析和讨论了位错理论模型的发展历史和应用领域 ,采用走滑和倾滑位错理论模型对青藏高原东北缘的多组断层活动产生的三维形变场进行了数值模拟研究 ,并将数值模拟结果与该地区 1999～ 2 0 0 1年间的GPS观测结果进行了对比分析。
5) Theory dislocation
理论错位
6) BCF surface diffusion model
BCF表面扩散模型
1.
Following Bennema's modification of the BCF surface diffusion model as applied to crystal growth from solution,the values of growth parameters have been calculated and discussed.
根据Bennema修正的用于水溶液晶体生长的BCF表面扩散模型 ,计算了晶体生长过程的激活能以及动力学系数。
补充资料：理论模型
分子式：
CAS号：
性质：对某一化工过程机理进行深入研究，通过化工基本理论推导得到表示过程各有关变量之间的物理数学关系，这种纯粹从基本理论出发，用数学方法来表达的关系，称为过程的理论模型。理论模型能反映过程的机理。但由于实际的化工过程比较复杂，影响因素很多，纯用理论方法宋描叙过程往往是不可能，因而纯理论模型的应用是很有限的。
CAS号：
性质：对某一化工过程机理进行深入研究，通过化工基本理论推导得到表示过程各有关变量之间的物理数学关系，这种纯粹从基本理论出发，用数学方法来表达的关系，称为过程的理论模型。理论模型能反映过程的机理。但由于实际的化工过程比较复杂，影响因素很多，纯用理论方法宋描叙过程往往是不可能，因而纯理论模型的应用是很有限的。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条