1) pulsed laser deposition method
脉冲激光气相沉积法
1.
02) dilute magnetic semiconductor thin films deposited on Si (001) substrates at 650℃ by pulsed laser deposition method were studied by X-ray absorption fine structure,X-ray diffraction and magnetic measurement.
利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-xCoxO(x=0。
2) Pulsed laser deposition
脉冲激光气相沉积
1.
Fe-embedding diamond-like carbon(Fe: DLC) films with different Fe content were deposited by using a pulsed laser deposition(PLD) technique.
采用脉冲激光气相沉积方法制备了不同Fe嵌埋浓度的Fe:DLC多层纳米复合薄膜。
3) pulsed laser deposition
脉冲激光沉积法
1.
Recent advances on ZnO-based films synthesized by pulsed laser deposition;
脉冲激光沉积法制备ZnO基薄膜研究进展
2.
The even single phase βFeSi_2 thin films were prepared by femtosecond pulsed laser deposition(PLD) on Si(111) wafers at different temperature using an FeSi_2 alloy target,and excimer(nanosecond) PLD was introduced to prepared β-FeSi_2 thin films also.
用FeSi2合金靶作为靶材,采用准分子激光沉积法在Si(111)单晶基片上制备了单相的-βFeSi2薄膜,并将飞秒脉冲激光沉积法(PLD)引入到-βFeSi2薄膜的制备工艺中;用X射线衍射仪(XRD),场扫描电镜(FSEM),能谱仪(EDS),紫外可见光光谱仪研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能。
3.
5CoO3(LSCO) oxide thin films were realized on SrTiO3(001) substrates by pulsed laser deposition.
利用脉冲激光沉积法在STO(001)基片上外延生长了La0。
4) pulsed laser deposition
脉冲激光沉积法(PLD)
5) vertical pulsed laser deposition (VPLD)
垂直脉冲激光沉积法
6) PLD
脉冲激光沉积
1.
Surface Morphology and Photoluminescence Properties of ZnO Films Deposited with PLD;
脉冲激光沉积ZnO薄膜的微结构及发光性能
2.
PLD Preparation and Application of TiNi SMA Thin Film;
TiNi合金薄膜的脉冲激光沉积制备与应用
3.
Microstructures and Properties of Semiconductor Materials with Pulsed Laser Deposition (PLD);
脉冲激光沉积（PLD）半导体材料结构特性的研究
补充资料：激光化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条