1) nanocrystal GaN film
nc-GaN薄膜
2) GaN film
GaN薄膜
1.
Instantaneous relaxation of photoconductivity in GaN film grown on vicinal sapphire substrate by MBE;
蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究
2.
A new method to grow high quality GaN film by MOCVD;
一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法
3.
GaN films have been grown by LP-MOCVD on the sapphire substrate,which a half of it is treated by chemical etch.
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。
3) GaN thin film
GaN薄膜
1.
The research of laser treatment of GaN thin film;
激光处理GaN薄膜的研究
2.
It is helpful to achieve dense and well-crystallized GaN thin films with higher temperature and longer maintain time.
结果表明:当沉积温度大于1100℃时,可在Si(111)基板表面上沉积微晶GaN薄膜;随沉积温度的升高,薄膜的结晶程度提高,取向性增强;延长保温时间有利于沉积更为致密而结晶良好的薄膜;薄膜的面电导率随外电场强度的增加而增加;在强电场作用下,电流密度与电场强度不再服从欧姆定律关系;PL谱分析表明所制备的薄膜具有463 nm、488。
4) GaN thin films
GaN薄膜
1.
The GaN thin films were grown on Si(111) substrate by Mg-doping simultaneously using a pulsed laser two-beam deposition system.
采用脉冲激光双光束沉积系统在Si(111)衬底上生长了掺Mg的GaN薄膜和未掺杂GaN薄膜。
2.
These defects can seriously affect the performance of GaN thin films, thus affecting the GaN-based devices.
GaN基片的研究目前几乎全部集中在异质材料上外延生长的薄膜,其外延生长过程也不可避免的产生缺陷结构,这些缺陷结构会严重影响GaN薄膜的性能,从而影响各种GaN基器件的性能。
5) GaN films
GaN薄膜
1.
Thickness measurement of GaN films by X-ray diffraction;
基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量
2.
GaN films have been grown on Si(111) substrates with a thin AlN buffer layer using a KrF excimer pulsed laser deposition(PLD) assisted by direct current discharge.
采用准分子脉冲激光 ,在Si(111)衬底上生长了带有AlN缓冲层的GaN薄膜 ,利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )和光致发光光谱 (PL)等测试手段研究了不同沉积温度所生长的GaN薄膜结构特征和光学性能 。
3.
GaN films have been grown on sapphire substrate which is treated by chemical method with different etch time by LP-MOCVD.
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。
6) GaN
[英][ɡæn] [美][gæn]
GaN薄膜
1.
GaN films synthesized through reactively reconstructing Ga_2O_3 films sputtered on Ga-diffused Si substrates;
硅基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装GaN薄膜
2.
In recent years, GaN-based optoelectronic materials and devices have been rapidly developed, however, there has not full studied in GaN thin films.
国内外许多研究小组利用透射电子显微术和X射线衍射对GaN薄膜位错的研究集中在用不同的测试方法对位错密度的分析，但通过这些方法表征的位错密度与器件发光性能存在矛盾。
3.
As an importantⅢ-Ⅴgroup s nitride,GaN has been applied in many fields such as photo-electricity devices,light detectors and novel microelectronics devices etc because it almost owns all the typical merits of wide-band-gap semiconductors.
然而由于GaN材料性质特殊,高质量高性能GaN薄膜的获得存在困难,GaN的高效掺杂仍然不易实现,掺杂条件与GaN薄膜结构及电学特性都有着较为复杂的关系,一些重要的相关物理现象和具体机理仍不是很明确,这在一定程度上阻碍了GaN材料应用的快速发展。
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条