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1)  semi-insulating GaN film
半绝缘GaN薄膜
2)  insulated film
绝缘薄膜
3)  thin-film insulator
薄膜绝缘体
4)  SiO2 insulating thin film
SiO2绝缘薄膜
5)  GaN film
GaN薄膜
1.
Instantaneous relaxation of photoconductivity in GaN film grown on vicinal sapphire substrate by MBE;
蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究
2.
A new method to grow high quality GaN film by MOCVD;
一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法
3.
GaN films have been grown by LP-MOCVD on the sapphire substrate,which a half of it is treated by chemical etch.
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。
6)  GaN thin film
GaN薄膜
1.
The research of laser treatment of GaN thin film;
激光处理GaN薄膜的研究
2.
It is helpful to achieve dense and well-crystallized GaN thin films with higher temperature and longer maintain time.
结果表明:当沉积温度大于1100℃时,可在Si(111)基板表面上沉积微晶GaN薄膜;随沉积温度的升高,薄膜的结晶程度提高,取向性增强;延长保温时间有利于沉积更为致密而结晶良好的薄膜;薄膜的面电导率随外电场强度的增加而增加;在强电场作用下,电流密度与电场强度不再服从欧姆定律关系;PL谱分析表明所制备的薄膜具有463 nm、488。
补充资料:油浸薄膜绝缘
      用绝缘油浸渍塑料薄膜而成的复合绝缘材料。塑料薄膜具有高的击穿场强和体积电阻率,非极性或弱极性。薄膜的εb和tgδ小,与温度和频率几乎无关。油浸薄膜和油浸纸相比,击穿强度高、tgδ小。油浸非极性薄膜的tgδ仅为油浸纸的1/10~1/20,且随温度的变化小,因而发热量少。油浸薄膜的局部放电场强较高。如油浸聚丙烯薄膜的工作场强可达50兆伏/米,为油浸纸的3倍以上。因而它在部分电工设备中,特别是在电容器中获得大量应用。最常用的薄膜是聚丙烯及少量聚酯、聚苯乙烯薄膜等。薄膜的浸渍可在较低的温度及高真空(<1.33帕)下进行。使用时必须注意油和膜的相容性,应选用和膜相容性好的绝缘油,即对膜的溶解量小、溶胀率低、易于浸渍等。为改善膜的浸渍性,可采用膜纸复合介质。20世纪70年代初出现的粗化聚丙烯薄膜,浸渍性优良,可用作油浸全膜介质。
  

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