1) Si/SiNx/SiO2 multilayers
Si/SiNx/SiO2多层膜
1.
Si/SiNx/SiO2 multilayers are prepared on Si(100) at room temperature by radio-frequency (RF) magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。
2) SiNx/SiO2 multilayers
SiNx/SiO2多层膜
1.
Si/SiO2 and SiNx/SiO2 multilayers were prepared on Si(100) at room temperature by radio-frequency(RF) magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。
3) SiNx/Si multilayers
SiNx/Si纳米多层膜
1.
The SiNx/Si multilayers is deposited alternately by magnetron sputtering and appear to amorphous phase.
采用非平衡磁控溅射技术制备氢化硅薄膜和SiNx/Si纳米多层膜,并对其结构与性能进行了分析。
4) Si/SiO2 multi-layer films
Si/SiO2多层膜
1.
Si/SiO2 multi-layer films are fabricated using the RF magnetron sputtering technique, and the I-V properties of the multi-layer films are analyzed.
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的I-V特性实验结果进行了拟合。
5) Cu/Ta/SiO_2/Si multilayer
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构
1.
Nanoindentation was adopted to investigate the compound hardness and elastic modulus of Cu/Ta/SiO_2/Si multilayer thin film system,which is a typical structure widely used in the manufacture of integrated circuit.
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。
6) nc-Si/SiNx films
nc-Si/SiNx薄膜
补充资料：全氟羧酸-磺酸多层阳离子交换膜
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸多层阳离子交换膜，需在膜的一面形成一羧酸膜层。其制法是将全氟磺酸膜片与全氟羧酸膜片加热层压而成，或在全氟磺酸膜的一面经化学处理，使—SO3H转换成—COOH基。这种离子膜一面为—SO3H基，另一面为—COOH，用聚四氟乙烯织物增强，在氯化钠电解制碱中的电流效率为95%左右。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸多层阳离子交换膜，需在膜的一面形成一羧酸膜层。其制法是将全氟磺酸膜片与全氟羧酸膜片加热层压而成，或在全氟磺酸膜的一面经化学处理，使—SO3H转换成—COOH基。这种离子膜一面为—SO3H基，另一面为—COOH，用聚四氟乙烯织物增强，在氯化钠电解制碱中的电流效率为95%左右。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条