1) Smooth high temperature resistant carbon field emitter(SCFE)
平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)
2) Carbon field electron emitter(CFE)
耐高温碳场电子发射体(CFE)
3) CFE
碳场电子发射体
1.
A smooth high temperature resistant carbon field electron emitter(SCFE) has been proposed for replacing an original high temperature resistant carbon field electron emitter(CFE).
为改进便携式RTX-150Ⅱ型X射线机内真空园锥靶脉冲X射线管的性能,研制成功了一种平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE),该SCFE阴极首次装入X射线管即表现出了良好的性能,目前装入整机已1年多,尚未见有发射性能衰变,与该管以前采用的耐高温碳场电子发射体CFE比较,除阴极表面光洁度、体积密实度大大提高,管内零件安装更精密,与管内其他电极的接触更完善等较明显的改善外,阴极总厚度降低至1mm,特别是发射尖端处的厚度减小到了微米量级,电子发射的区域更加集中,初步试用的结果显示,电子发射性能、整管的工作稳定度都确有提高。
5) electron field emission
场电子发射
1.
The influence of thermal annealing on the electron field emission characteristics of the AIN coating on Si substrate was investigated.
以氮气为反应气体；用射频反应溅射方法制备了ＡＩＮ薄膜，结合ＸＰＳ和ＸＲＤ表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响。
2.
Current research on electron field emission from wide band-gap materials, such as diamond, diamond-like carbon, cubic boron nitride, aluminum nitride and silicon carbide films is reviewed.
介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状 ,对金刚石、类金刚石 (DLC)、立方氮化硼 (c-BN)、氮化铝 (AlN)和碳化硅 (SiC)薄膜场电子发射研究的进展进行了评述 ,着重介绍了发射性能与薄膜的结构特征、杂质含量和处理方法间的关系 ,并讨论了研究中存在的问题 。
3.
The behavior of electron field emission from CVD d iamond films implant ed by nitrogen iron has been studied.
研究了氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射行为 。
6) electron field emission
电子场发射
1.
First-principles study of electron field emission from the carbon nanotube with B doping and H_2O adsorption;
掺硼水吸附碳纳米管电子场发射性能的第一性原理研究
2.
First-principles study of electron field emission from the carbon nanotube with nitrogen doping and H_2O adsorption
氮掺杂及水分子吸附碳纳米管电子场发射第一性原理研究
3.
The effects of the thermal annealing on the bonding structure and the electron field emission characteristics of CN_x films were investigated.
结果发现,沉积的CNx膜中氮原子与sp,sp2,sp3杂化碳原子相键合,并对经过退火的CNx膜的键合结构和电子场发射特性的影响进行了研究。
补充资料：库鲁发射场(见航天器发射场)
库鲁发射场(见航天器发射场)
Kourou Launching Site
Kulu Fashechang库鲁发射场(Kourou Laune址ng site)见航天器发射场。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条