1) semi-infinite target
半无限靶
1.
The physical process of extended penetrator penetrating perpendicularly into semi-infinite target was described.
对伸出式侵彻体垂直侵彻半无限靶板的物理过程进行了描述,分析了侵彻过程中一些重要参量的变化规律,并对此过程进行了三维数值模拟,模拟结果与试验结果有较好的一致性;与具有相同质量相同外径的基准杆进行了比较,结果表明,在火炮速度范围内,伸出式侵彻体相对基准杆有较大的穿深增益,而且这种穿深增益随着撞击速度的增加而逐渐增加。
2.
On the basis of experiments, the patterns of penetration of a long tube against a normal homogeneous semi-infinite target were described.
长管体侵彻靶板有明显的特殊现象 ,根据试验结果描述了长管体垂直侵彻半无限靶板的物理图像 ,建立了侵彻阶段的理论模型、进行了计算 ,并同长杆体进行了对比 ,计算与试验结果吻合较好。
2) semi-infinite target
半无限靶板
1.
The experiments that long rods of three kinds of sections(triangle,quadrangle and circular) penetrating semi-infinite target were studied under the same conditions of quality section area.
9 km/s,长径比为20,在相同的质量和横截面积条件下,3种截面形状(三角形、四边形及圆形截面)的长杆体,对其垂直侵彻半无限靶板特性进行了试验研究。
2.
Some experiments of impacting semi-infinite target perpendicularly were carried out by the triangular and quadrangular cross-section penetrators,at lengthdiameter ratios of 20,impacting velocity of 1 600 m/s to 1 800 m/s.
针对长径比为20,截面形状分别为三角形和四边形的两种异型杆,在1 600~1 800 m/s速度范围内,开展了其垂直侵彻半无限靶板的试验研究和模型分析,在模型中考虑了弹杆横截面对异型杆侵彻均质靶板的影响。
3) semi-infinite homogeneous target
半无限均质靶
1.
The observations for long tubular oblique penetration into semi-infinite homogeneous target are interesting.
描述了长管体在速度范围在1000m/s~1500m/s时斜侵彻半无限均质靶板的物理图像,对长管体在侵彻各个阶段的受力和运动情况进行了分析,发现侵彻时管体中央的“靶芯”对侵彻过程影响很大。
4) Semiinfinite thickness concrete target
半无限厚混凝土靶
5) infinitely thick target
无限厚靶
6) semi infinite body
半无限体
1.
With an analysis of the roll shaping helical bolts, the paper proposes the reasonable deforming procedures as the bolts being under roll shaping, known as the press in semi infinite body through flat anviling.
通过对螺旋钉滚压成形的分析，提出螺旋钉的合理变形过程一平砧压入半无限体，建立了相应的工艺参数计算公式；经实验应用验证，计算简便，准确合理；为提高产品的产量和质量提供了理论依据。
2.
In terms of Cauchy s integral formula of analytical complex function and the three order spline function of complex variable, a general boundary solution method is presented for solving the complex potential field of the flow field around a 2D semi infinite body.
采用复解析函数的Ｃａｕｃｈｙ积分公式和物面复势三阶样条函数逼近，提出了一种求解二维半无限体势流绕流问题复势的通用方法。
补充资料：电磁波在半无限屏缘的衍射
均匀平面波照射半无限导体薄屏时，在屏的背后形成阴影(图1)。电磁场在均匀媒质中只能连续分布，从投射波的照射区到屏的阴影区，场应当逐渐过渡，场在反射区的边界处也应逐渐过渡。因此，除反射波外，还存在衍射场。
如以屏缘以外半平面上的场为二次源，可以近似求得屏后半空间的场。由于二次源分布在半无限平面上，所以只存在菲涅耳衍射，当电磁波垂直投射时，应用这种衍射理论求得屏背后平行于屏的一条横线上场强的分布如图2所示。照明区内场强的起伏正是衍射场与投射场相干涉的结果。
从衍射场的严格解得到：在反射区边界以外没有反射波,在阴影区没有投射波,而在全空间都存在着衍射波。如果投射线与屏缘的夹角为 θ，投射线在屏缘的法平面上的投影和屏缘在屏上的法线间夹角为φ0(0<φ0<π),则除去与屏面夹角为π-φ0的一对半平面附近，衍射波面是顶点在屏缘上而锥角为的锥，其法线(衍射线)则在锥角为 θ的锥上。除两边界附近以外，在远离屏缘处，衍射场的振幅与到屏缘的距离ρ 的次幂成反比。在两个边界附近,衍射场的振幅几乎不随ρ 改变,而相位发生跃变,它弥补了投射波或反射波的陡然终止,而保证场的连续。
如以屏缘以外半平面上的场为二次源，可以近似求得屏后半空间的场。由于二次源分布在半无限平面上，所以只存在菲涅耳衍射，当电磁波垂直投射时，应用这种衍射理论求得屏背后平行于屏的一条横线上场强的分布如图2所示。照明区内场强的起伏正是衍射场与投射场相干涉的结果。
从衍射场的严格解得到：在反射区边界以外没有反射波,在阴影区没有投射波,而在全空间都存在着衍射波。如果投射线与屏缘的夹角为 θ，投射线在屏缘的法平面上的投影和屏缘在屏上的法线间夹角为φ0(0<φ0<π),则除去与屏面夹角为π-φ0的一对半平面附近，衍射波面是顶点在屏缘上而锥角为的锥，其法线(衍射线)则在锥角为 θ的锥上。除两边界附近以外，在远离屏缘处，衍射场的振幅与到屏缘的距离ρ 的次幂成反比。在两个边界附近,衍射场的振幅几乎不随ρ 改变,而相位发生跃变,它弥补了投射波或反射波的陡然终止,而保证场的连续。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条