1) non-linear varistor
非线性电阻片
1.
The circuit parameters of impulse rectangular current generator for energy enduring test of non-linear varistor are simulated and calculated, the relation between the parameters of circuit and the parameters of the impulse current waveform are derived.
对非线性电阻片能量耐受试验用的冲击方波电流源进行了参数设计和仿真计算,得出了回路及负载参数和回路输出波形参数之间的关系。
3) ZnO nonlinear resistance valve plate
氧化锌非线性电阻阀片
1.
The main points of choice and installation of ZnO nonlinear resistance valve plate are presented.
介绍了改善变压器绕组冲击电压分布的方法以及氧化锌非线性电阻阀片选用和安装的要点。
4) non-linear resistance
非线性电阻
1.
If the arc generated during the make or brake of electrodes of spark-test apparatus was regarded as a non-linear resistance, non-explosion assessing intrinsic safety method can be established.
如果将火花试验装置的电极在闭合或断开时的放电电弧看作一个非线性电阻,则可以实现电路本质安全性能的计算机辅助分析方法。
2.
The ZnO non-linear resistance is used in many power electronics circuit to protect against transient over voltage and surge energy.
氧化锌非线性电阻广泛用于电力系统过压保护和浪涌能量吸收。
3.
The huge-scale synchronous generator de-excitation with non-linear resistance is discussed in this paper.
本文对大型发电机组非线性电阻灭磁进行了研究，详细地分析和比较了SiC压敏电阻和ZnO压 敏电阻非线性电阻灭磁的特点，并对某840MW发电机组进行了仿真计算。
5) varistor
[və'ristə]
非线性电阻
1.
Usually,varistors are adopted in de-excitation(DE)of large generators.
大型发电机通常采用非线性电阻灭磁,非线性电阻并接在磁场绕组两端,这种接法已得到普遍采用。
2.
A new de-excitation method, in which capacitors with parallel connected varistor are connected to both terminals of field winding described in literature[1].
文献讨论了非线性电阻和电容器并联后,跨接到磁场绕组两端的新型灭磁方案,主要是利用磁场开关主触点分断后,由电容器和磁场绕组产生谐振,导致电容器电压上升,当电容器电压上升到超过或等于非线性电阻残压时,非线性电阻即投入,电容器上电压不再上升,这种灭磁的方法,对灭磁开关的开断弧压要求降低了,本文进一步探讨自并励水轮发电机空载误强励下,用新方案灭磁的情况,这里利用了在d,q轴坐标下同步电机Park方程,考虑了阻尼绕组和发电机空载特性饱和的影响,进行了仿真,得到了预期的结果。
6) nonlinear resistance
非线性电阻
1.
The 10 kV network neutral grounding by nonlinear resistance as a new neutral grounding mode for power system is brought forward.
研究了10 kV电网中性点经ZnO非线性电阻接地运行的新方式,通过分析ZnO非线性电阻的U-I特性,针对非线性电阻的通流能力,对电网继电保护的配合和通讯干扰等问题进行了研究和探讨。
2.
This paper puts forward an implementation model for a nonlinear resistance in the Van Der Pol circuit,measures its voltampere characteristic,and fits the characteristic curve through Matlab software.
提出了一种范德坡电路中非线性电阻的实现模型,测量了其伏安特性,并利用Matlab软件拟合了非线性电阻的伏安特性曲线。
3.
AC parameters measuring system of nonlinear resistances,which can adjust AC power source automatically,is developed,based on function generator MAX038,general multiplication AD734,data collecting card and computer with A/D and D/A port.
基于函数发生器MAX038、通用乘法器AD734、具有A/D和D/A端口的数据采集卡及计算机,实现了交流高压电源可自动调节的非线性电阻交流参数测试系统,可自动测试非线性电阻给定电流条件下的交流U1mA,U100μA,U10μA等参数,以及给定交流电压条件下的全电流Io、阻性电流Ir。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条