1) SiGe bulk
硅锗单晶
1.
The distribution of impurity Ge in SiGe bulk single crystal which was grown by varying speed CZ was measured by using the SEM-EDS methods, and it was found that the Ge concentration varied from a lower value at head to a highter one at the tail of Si crystal which was doped Ge.
利用扫描电镜能谱分析法,对 CZ 法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高。
2) SiGe single crystal
锗硅单晶
3) single crystal SiGe
单晶锗硅薄膜
4) poly-SiGe
多晶锗硅
1.
The crystal quality and morphology of poly-SiGe films were characterized by XRD and SEM.
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜。
5) SiGe mixed crystal
锗硅混晶
6) polycrystalline SiGe
多晶硅锗
1.
Effects of hydrogenation for polycrystalline SiGe (poly-Si1-xGex) thin films were estimated by investigating the dark conductivity and activation energy that derive from the conductivity as a function of the temperature.
优化了热丝法氢处理多晶硅锗薄膜工艺条件。
补充资料：锗单晶
分子式：Ge
CAS号：
性质：周期表IV族元素半导体。共价键结合，金刚石型结构。晶胞由两类不等价原子组成的两个面心立方晶格套构而成，包胞中包含两个不等价原子。为复式晶格。晶格常数0.56575nm。电子纵向和横向有效惯性质量m分别为1.64和0.0819。重空穴和轻空穴的有效惯性质量为0.36和0.04，为间接带隙半导体。室温禁带宽度0.67eV。本征载流子浓度2.4×1019/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率趴39m2(V·s)和0.19m2(V·s)。掺入III和V族原子可制成p型或n型材料。采用区熔法提纯晶体。用直接法制备单晶。为制作高频、低噪声半导体器件的优良材料。
CAS号：
性质：周期表IV族元素半导体。共价键结合，金刚石型结构。晶胞由两类不等价原子组成的两个面心立方晶格套构而成，包胞中包含两个不等价原子。为复式晶格。晶格常数0.56575nm。电子纵向和横向有效惯性质量m分别为1.64和0.0819。重空穴和轻空穴的有效惯性质量为0.36和0.04，为间接带隙半导体。室温禁带宽度0.67eV。本征载流子浓度2.4×1019/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率趴39m2(V·s)和0.19m2(V·s)。掺入III和V族原子可制成p型或n型材料。采用区熔法提纯晶体。用直接法制备单晶。为制作高频、低噪声半导体器件的优良材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条