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1)  lead germanate single crystal
锗酸铅单晶
2)  Bi 12 GeO 20 single crystal
锗酸铋单晶
3)  lead germanate vanadate crystal
锗钒酸铅晶体
4)  scintillation bismuth germinate single crystal
闪烁锗酸铋单晶
5)  lead tungstate single crystal
钨酸铅单晶
6)  lead molybdate single crystal
钼酸铅单晶
补充资料:锗单晶车间设计


锗单晶车间设计
design of monocrystalline germanium shop

zhedanjing eheiian sheji锗单晶车间设计(design of monoerystallinegermanium shop)以高纯锗锭为原料,拉制各种规格锗单晶的锗厂的车间设计。 工艺流程选择锗单晶的制备有直拉法、水平法和浇铸法三种,根据产品用途选择不同生产方法。半导体器件用锗单晶,采用水平法或直拉法生产;浇铸法产品一般用于红外光学器件。直拉单晶产品质量稳定,直径均匀性好,但炉产量小。水平拉单晶一般具有炉产量大、成本低的特点,但质量欠稳定;浇铸法产品直径大,但质量欠佳。高纯锗探测器用锗单晶,要求纯度高,采用不掺杂直拉法生产。红外光学用锗,要求锗片直径越大越好,浇铸法产品直径可达500mm,拉晶法产品直径只有300mm左右。 设备选择锗单晶生产主要设备为单晶炉。单晶炉有直拉单晶炉和水平拉晶炉。单晶炉数量、型号、规格要根据生产规模、产品质量、品种和规格来决定。生产规模大,产品直径大,选用装料量多的直拉单晶炉或水平拉晶炉;要求单晶直径均匀,变化小,可选用带有等径控制装置的直拉单晶护;生产低阻单晶和中、高阻单晶的设备,要分别选型,不可共用,以避免互相沾污。选用的设备要有备用。 工段组成与配置锗单晶车间包括原料准备、单晶拉制、物理测试工段以及高纯水制取、气体净化、空调等辅助设施。在配置上,单晶拉制宜设置在地面层上,采用大房间。高纯水的制备宜放在用水点的楼面上,便于自流。气体净化尽量靠近单晶拉制房间。物理测试房间要远离射频辐射源。 技术特点单晶拉制时要求防震,车间不要靠近铁路、公路或有震源的地方,周围环境须干净无污染源,单晶炉要设计隔震基础。单晶房间要采用真空吸尘。物理检测房间要求恒温恒湿,并要设计全封闭式屏蔽,以防外界干扰。 技术经济指标中国以高纯锗为原料生产锗单晶的主要技术经济指标为:回收率96%~98%;单晶直接合格率34%一45%;每公斤锗单晶高纯锗锭耗量2.03~1.o6kg,电耗300一35OkW·h。
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