1) IGBT
绝缘栅极晶体管
2) isolation gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅极双极型晶体管
3) IGBT
绝缘栅双极晶体管
1.
Principle and analysis of charger with IGBT;
绝缘栅双极晶体管(IGBT)充电器的原理及分析
2.
The Study of IGBT Welding Inverter;
绝缘栅双极晶体管弧焊逆变器的研究
3.
Development of IGBT;
IGBT绝缘栅双极晶体管发展简述
4) insulated gate bipolar transistor
绝缘栅双极晶体管
1.
Comparison was made between the mainstream device insulated gate bipolar transistor IGBT of power electronic device and other power electronic device in performances, putting forth that IGBT should according to actual conditions take relevant measures, then IGBT in application can be assured with good results, and IGBT will be assured in safe and reliable operation.
将电力电子装置中的主流器件绝缘栅双极晶体管IGBT与其它电力电子器件性能进行了比较。
5) package / insulated gate bipole transistor
封装/绝缘栅双极晶体管
6) insulated gate bipolar transistor
绝缘栅双极型晶体管
1.
The dynamic over-voltage in the series connection of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) of high-voltage and high-power inverter equipment is investigated,and a quick feedback controlling method based on the bang-bang control is presented to control the component voltages of the equipment,with the aim of restraining the dynamic over-voltage of two series components.
对高压大功率变流设备中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的动态过压问题进行了研究,提出了一种基于磅磅控制原理的快速反馈控制方法对器件端压进行控制,以抑制串联器件间的动态过压。
补充资料：功率场效应晶体管栅极驱动电路
使功率场效应晶体管按信号的要求导通或截止的电路。用于控制电力电子电路中的功率场效应晶体管的通断。功率场效应晶体管是电压控制器件，只要栅极驱动电路提供合适的栅极电压，即能保证元件的可靠通断。因栅极驱动电流较小，所以驱动电路比较简单。在工作频率较低的应用场合，常用集成逻辑电路或集成模拟电路等直接驱动功率场效应晶体管。图1是用集成与非门直接驱动功率场效应晶体管的电路。当与非门输出高电平时，功率场效应晶体管导通；当与非门输出低电平时，功率场效应晶体管关断。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件，但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时，要求驱动电路的输出电阻较小，以提高栅极输入电容的充放电速度；另一方面，要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下，需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小，驱动功率大。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件，但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时，要求驱动电路的输出电阻较小，以提高栅极输入电容的充放电速度；另一方面，要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下，需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小，驱动功率大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条