1) Film oxidation
薄膜氧化
2) titanium oxide film
氧化钛薄膜
1.
Formation of functional group on titanium oxide films induced by plasma treatment;
氧化钛薄膜表面等离子体处理引发官能团形成的研究
2.
on beam enhanced deposition was used to synthesize titanium oxide film.
本文研究了离子束增强沉积技术制备的氧化钛薄膜的血液相容性与薄膜的结构、成分、表面能，以及蛋白质在薄膜表面的吸附之间的关系。
4) ZnO thin films
氧化锌薄膜
1.
In this paper, photoluminescence of ZnO thin films, which were deposited by reactive r.
利用直流射频磁控溅射制备了氧化锌薄膜 ,测量了不同温度下的氧化锌薄膜的光致发光 。
2.
The ZnO thin films are fabricated by electrodeposition on n-type InP wafers at constant potential.
采用电化学沉积方法在n型InP(100)(1016)衬底上制备了氧化锌薄膜。
3.
The vacuum evaporation was used for the deposition of Zinc precursor layers,and ZnO thin films were prepared by oxidizing the precursor in the air in the post treatment of annealing processing at different temperatures.
采用真空蒸发镀膜的方法分别在玻璃和硅片衬底上沉积金属锌前驱体,再在空气中通过不同温度的退火氧化处理制得氧化锌薄膜,主要研究了不同退火温度对氧化锌薄膜光电特性的影响。
5) Bismuth oxide thin film
氧化铋薄膜
6) tantalum oxide films
氧化钽薄膜
1.
Microanalysis of tantalum oxide films deposited by dynamic ion beam mixing;
动态离子束混合沉积氧化钽薄膜的微观分析
2.
Ta/Tantalum Pentoxide/Ta (MIM) structure was fabricated to investigate the I-V characteristics of tantalum oxide films.
氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低。
补充资料：一氧化硅薄膜介质材料
分子式：
CAS号：
性质：黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40～100pF/mm2，电容温度系数(40～400) ×10-6，介质损耗因数tgδ(1～4) ×10-2，击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
CAS号：
性质：黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40～100pF/mm2，电容温度系数(40～400) ×10-6，介质损耗因数tgδ(1～4) ×10-2，击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条