1) PECVD
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等离子体增强化学气相淀积
1.
Fluorine and carbon-doped silicon oxide films (SiCOF) were deposited from tetraox- ethylsilane (TEOS) and octafluorocyclobutane (C4F8) by plasma-enhanced chemical yapor deposi- tion (PECVD).
以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4F8)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF)。
2.
An investigation is made into preparations of thin gate-oxides for strained Si channel MOSFET s using PECVD at 300 °C and low-temperature (700-800 °C) thermal oxidation, respectively.
分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。
2) Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
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等离子体增强化学气相淀积
3) plasma enhanced chemical vapour deposition
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等离子体增强化学气相淀积
4) plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
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等离子体增强化学气相淀积
1.
In the experiment herein,both SiO2 thin films and Si3N4 thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) on p-type silicon(111) substrate.
利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析。
5) thin film /PECVD
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薄膜/等离子体增强化学气相淀积
6) plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
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等离子体增强化学气相淀积(PECVD)
补充资料:等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态,产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等,促进化学反应,在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现,20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下,气体分子成为电离状态,通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中,电子由于平均自由程大而得以加速,与中性分子或原子发生碰撞。其中,弹性碰撞使气体温度升高,而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化,产生化学活性的离子和原子团,促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体,一般采用高频电源,频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜,热损失少,从而抑制了与衬底的反应,并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤,产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法,这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条