1) power semiconductor devices/fast diode
电力半导体器件/快速二极管
2) power semiconductor/IGBT
电力半导体器件/绝缘栅双极晶体管
3) power semiconductor device/Dual In-line Package Intelligent Power Module
电力半导体器件/逆导型绝缘栅双极晶体管
4) power semiconductor device
电力半导体器件
1.
Types,technical characteristics and applications of power semiconductor devices frequently used for locomotive and rolling stock now are presented.
介绍了目前在机车车辆变流器中常用的电力半导体器件的种类、技术特点及应用范围,着重阐述了电力半导体器件冷却技术、结构特点及其应用范围,对我国机车车辆变流器冷却技术的发展提出了一些观点。
6) power semiconductor devices
电力半导体器件
1.
The development feature of power semiconductor devices in new century has been discussed from the point of view of the property comparison among monopolar devices, bipolar devices and mixed-devices, combining the developments of new materials and new theories.
结合新材料、新理论的发展,从单极型、双极型和混合型器件性能比较的角度来讨论电力半导体器件在新世纪的发展特点。
补充资料：半导体开关二极管
半导体开关二极管
semiconductor switching diode
匕01飞doo戈、伙olgt)o了1 er]lgt一on半导体开关二极管(semieondueto:Switehingdiode)在电路中工作在开关状态的半导体二极管。由于它用于开关电路，故要求它的开关速度快。二极管的开关速度取决于结电容上存储电荷的建立或消失的速度。低频整流管因PN结面积大，结电容大，故存储电荷多，由正向导通到反向截止的反向恢复时间较长。开关二极管的结面积作得小，同时在制造工艺过程中，利用掺金作用，可以缩短反向恢复时间。所谓掺金作用就是在半导体中掺入极少量的金元素，这些金元素很容易捕获电子，同时与空穴复合而消失，从而加J决管子的开关速度。开关二极管由反向截止转化为正向导通所需的时间很短，可以忽略不计。例如硅开关二极管2CK70的反向恢复时间不大于3ns，锗开关二极管ZAK7的反向恢复时间不大于150ns。
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参考词条