1) point frequency elimination effect
点阻效应
2) steric effect
位阻效应
1.
Taking advantage of the steric effect of nitrogen atoms in 2-methylpiperazine, selective monobenzoylate on the nitrogen atoms were investigated by five synthetic routes.
根据2-甲基哌嗪中N原子位阻效应的差异,研究了其选择性单酰化反应。
2.
Moreover,the steric effect and the regioselectivity in the synthetic process were also discussed.
本文先后经5步反应合成了新的荧光免疫试剂即标题化合物,并用NMR、IR、MS和EA表征了产物及部分中间体的结构,并对合成过程中的位阻效应及区域选择性进行了讨论。
3) piezoresistive effect
压阻效应
1.
Diameter-dependent piezoresistive effect of multi-walled carbon nanotube films;
管径相关的多壁碳纳米管膜的压阻效应
2.
The magnetoresistive and piezoresistive effect in diamond films;
金刚石膜的磁阻效应和压阻效应
3.
It is found that CFRP unidirectional laminates have piezoresistive effect.
结果表明:不同铺层方向CFRP单向层合板拉伸时体积电阻变化特性各不相同,该电阻变化特性比应力、应变能更多地反映有关材料内部结构变化的信息;CFRP单向层合板具有压阻效应,压阻效应随着应力的增加而增加,偏轴拉伸、横向拉伸时压阻效应比纵向拉伸时要大,且随铺层方向角的增大,压阻效应越来越明显。
4) resistivitytemperature effect
温阻效应
5) drag reduction
减阻效应
1.
The efficient effect of drag reduction was proved.
本文用 ALE方法对二、三维动波浪壁边界层流体运动进行数值模拟 ,并由流动的速度场、涡量场和压力分布分析了波涡相互作用的机理、动波浪壁边界层的流动特征和明显的减阻效应。
6) piezoresistance effect
压阻效应
1.
Based on the principle of piezoresistance effect,piezoresistive pressure sensor is designed.
根据压阻效应原理设计了一压阻式压力传感器,从零点温度漂移和灵敏度温度漂移2个方面详细论述了传感器的温度补偿问题。
补充资料：半导体的压阻效应
指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条