1) dislocation distribution
位错分布
1.
The dislocation distribution of Cd1-xZnxTe (CZT) crystal with Vertical Bridgman Method had been analyzed by observing the etch pits density.
使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律。
2) distributed dislocation technique
分布位错法
4) dislocation distribution function
位错分布函数
1.
By the method of theory of complex functions,analytical solution to dislocation distribution function of the edges of an axially symmetric crack subjected to unit-step loads for transversely isotropic body were obtained.
通过复变函数论的方法,得到了横观各向同性体的轴对称裂纹表面受阶跃载荷作用下的位错分布函数的解析解。
2.
By application of the approach of the theory of complex functions,dislocation distribution function of two propagation problems concerning mode Ⅰ dynamic crack was studied.
通过复变函数论的方法,对Ⅰ型动态裂纹二个扩展问题的位错分布函数分别进行了研究。
3.
Dislocation distribution function of modeⅢpropagation crack, modeⅢinterface propagation crack and axially symmetric propagation crack are studied in this paper.
本文着重研究了Ⅲ型扩展裂纹、Ⅲ型界面扩展裂纹、轴对称扩展裂纹的位错分布函数。
5) distribution of misfit dislocation
失配位错的分布
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条