1) 30° partial dislocation
30°部分位错
1.
To do this,we introduce a pair of 30° partial dislocation dipoles into a fully periodic Si crystal.
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构。
2) 30°partial dislocation
30度部分位错
1.
With the dissociation of 60°dislocation and screw dislocation, the partial dislocations (30°partial dislocation and 90°partial dislocation) are the predominant dislocation.
随着60度位错和螺位错地分解,部分位错(30度部分位错和90度部分位错)成为了异质结构中主要的位错形式。
4) partial dislocation
部分位错
1.
It is known that LC and RC containing the reconstruction defect(RD) move faster than the left kink(LK) and right kink(RK),which validates our previous conclusion that RD can promote the motion of the 30° partial dislocation.
计算结果表明,含有重构缺陷(RD)的LC和RC相对于左弯结和右弯结具有较快的运动速度,验证了之前得出的RD对30°部分位错的运动具有加速作用的结论,并且通过对弯结运动过程中微观结构的分析,从微观尺度上对这一结论进行了解释。
5) shockley partial dislocation
肖克莱部分位错
6) 90°partial dislocation
90度部分位错
1.
With the dissociation of 60°dislocation and screw dislocation, the partial dislocations (30°partial dislocation and 90°partial dislocation) are the predominant dislocation.
随着60度位错和螺位错地分解,部分位错(30度部分位错和90度部分位错)成为了异质结构中主要的位错形式。
补充资料：位错
（见晶体缺陷）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条