1) transistor mismatching
MOS管失配
2) MOS
MOS管
1.
Application of Relay with MOS;
MOS管继电器应用探讨
2.
Design of a Low-voltage Low-power MOSFET-only Voltage Reference;
一种全MOS管结构低压低功耗电压基准源的设计
3.
Test indicates that the speed control system,using low power MOS and PWM,features a better performance,improved driving safety and reliabiliy,and easier maintenance.
介绍了蓄电池叉车的发展状况以及应用,以降压斩波电路为基础分析了调速系统的工作原理,设计出调速系统硬件电路图以及软件流程图,实验证明采用低功耗导通关断全控制型器件MOS管和PWM调速技术的调速控制器具有优越的调速性能,可提高蓄电池叉车的安全性、可靠性和易维修性。
3) MOSFET
['mɔsfet]
MOS管
1.
A Kind of High Voltage Switch Power Made by Low Voltage MOSFET;
用低压MOS管设计高压开关电源的实现方法
2.
MOSFET Short-channel Effect and Its Behavioral Modeling;
MOS管短沟道效应及其行为建模
3.
The system is constituted a high-power short-circuit switches by using of high-power MOSFET parallel group, and the achievement of short-circuit shunt control simulation system by using of S7-200 PLC and MP370.
本课题主要研究的是超大功率短路开关组的设计与系统控制:采用大功率MOS管来设计构成大功率短路开关组;采用S7-200 PLC与MP370配合,实现短路分流模拟系统的控制。
4) MOS transistor
MOS晶体管
1.
A kind of intelligent PV module consisting of MOS transistor,MCU,and infrared device is developed.
设计了一种基于MOS晶体管、单片机、红外收发装置的智能光伏组件,其原理是单片机通过定时测试两路太阳电池片的输出电压来判断各路电池片的实际工作情况,根据其工作状态来控制起续流作用的MOS晶体管的工作状态,并且单片机把得到的总电量值保存在内部EEPROM中,需要了解组件自从安装后的发电总量时,用手持抄表器很方便地通过组件上的红外收发模块得到EEPROM中的数据。
2.
Based on I-V characteristics of single-electron transistor and the idea of MOS digital circuit design,an inverter using the single-electro and MOS transistors is proposed and some other logic gate circuits are educed.
基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。
3.
Both nMOS and pMOS transistors with two-edged and multi-finger layouts are fabricated in a standard commercial 0.
在商用标准0·6μm体硅CMOS工艺下,设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品,讨论其经过γ射线照射后的总剂量辐照特性。
5) power MOSFET
功率MOS管
1.
Some problems are discussed with the proposed circuit,such as the floating gate drive for the power MOSFET,the dead time setup of the complementary PWM outputs,the reasons to form the oscillation and the way to opti.
结合设计的控制驱动电路,讨论了功率MOS管栅极浮置驱动、互补脉宽调制死区时间设置的问题,分析了驱动电路中振荡产生的原因,并给出优化方法。
6) MOS in parallel
MOS管并联
1.
A study was carried out on three-level circuit, MOS in parallel etc.
对三电平电路、MOS管并联等进行了研究。
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条