1) h-AlN film
六方单晶氮化铝薄膜
1.
The h-AlN film is characterized by the high-resolution transmission electron microscope,electron diffraction,and X-ray diffraction.
同时,本文对六方单晶氮化铝薄膜的生长机理和光致发光机理也进行了讨论。
2) h-AlN
六方单晶氮化铝
1.
In a stainless steel autoclave of 25ml capacity, pure hexagonal aluminum nitride (h-AlN) nanowire has been successfully synthesized by direct reaction of AlCl_3 with NaN_3 in non-solvent system at low temperature.
同时,提出了长直线状六方和面心立方单晶氮化铝纳米线的生长机理的假设,并对六方单晶氮化铝纳米线生长方向的人工控制也进行了讨论。
3) hexagonal boron nitride film
六方氮化硼薄膜
6) AlN film
氮化铝薄膜
1.
Preferential orientation AlN films by RF reactive magnetron sputtering;
磁控反应溅射制备择优取向氮化铝薄膜
补充资料：氮化硅晶须补强氮化铝陶瓷基复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以氧化铝陶瓷为基体，氮化硅晶须为增强体的复合材料，是一种性能优异的耐高温结构陶瓷。加入氮化硅晶须，可使氧化铝陶瓷的强度、韧性、抗热震性等得到明显的改善。在氧化铝基体中，加入20%(质量)氮化铝晶须制得的复合材料基强度提高了约50%，断裂韧性KIC达到氧化铝基体的1.5倍。这种材料可用于机械受力及耐磨部件以及作为耐热、耐腐蚀部件。
CAS号：
性质：以氧化铝陶瓷为基体，氮化硅晶须为增强体的复合材料，是一种性能优异的耐高温结构陶瓷。加入氮化硅晶须，可使氧化铝陶瓷的强度、韧性、抗热震性等得到明显的改善。在氧化铝基体中，加入20%(质量)氮化铝晶须制得的复合材料基强度提高了约50%，断裂韧性KIC达到氧化铝基体的1.5倍。这种材料可用于机械受力及耐磨部件以及作为耐热、耐腐蚀部件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条