1) a-SiN x:H films
非晶氮化硅薄膜
2) Amorphous iron nitride thin films
非晶氮化铁薄膜
3) a-Si:H thin film
氢化非晶硅薄膜
1.
Analysis of IR transmission spectra and hypothesis of bond-centered H diffusion in a-Si∶H thin films during light-induced thermal annealing;
氢化非晶硅薄膜的红外光谱分析和桥键氢扩散假设(英文)
4) amorphous SiO_x:H films
非晶氧化硅薄膜
5) a-Si:H TFT
氢化非晶硅薄膜晶体管
6) a-Si thin film
非晶硅薄膜
1.
An a-Si thin film diodes with big current densities and high on/off ratios was presented by PECVD technology.
报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50A/cm-2,±3V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D IC)中三维只读存储器(3D ROM)的要求。
补充资料：氮化硅
化学式Si3N4。白色粉状晶体;熔点1900℃,密度3.44克/厘米3(20℃)；有两种变体：α型为六方密堆积结构；β型为似晶石结构。氮化硅有杂质或过量硅时呈灰色。
氮化硅与水几乎不发生作用；在浓强酸溶液中缓慢水解生成铵盐和二氧化硅；易溶于氢氟酸，与稀酸不起作用。浓强碱溶液能缓慢腐蚀氮化硅，熔融的强碱能很快使氮化硅转变为硅酸盐和氨。氮化硅在 600℃以上能使过渡金属（见过渡元素）氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮。1285℃ 时氮化硅与二氮化三钙Ca3N2发生以下反应：
Ca3N2+Si3N4─→3CaSiN2
氮化硅的制法有以下几种：在1300～1400℃时将粉状硅与氮气反应；在1500℃时将纯硅与氨作用；在含少量氢气的氮气中灼烧二氧化硅和碳的混合物;将SiCl4的氨解产物Si(NH2)4完全热分解。氮化硅可用作催化剂载体、耐高温材料、涂层和磨料等。
氮化硅与水几乎不发生作用；在浓强酸溶液中缓慢水解生成铵盐和二氧化硅；易溶于氢氟酸，与稀酸不起作用。浓强碱溶液能缓慢腐蚀氮化硅，熔融的强碱能很快使氮化硅转变为硅酸盐和氨。氮化硅在 600℃以上能使过渡金属（见过渡元素）氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮。1285℃ 时氮化硅与二氮化三钙Ca3N2发生以下反应：
Ca3N2+Si3N4─→3CaSiN2
氮化硅的制法有以下几种：在1300～1400℃时将粉状硅与氮气反应；在1500℃时将纯硅与氨作用；在含少量氢气的氮气中灼烧二氧化硅和碳的混合物;将SiCl4的氨解产物Si(NH2)4完全热分解。氮化硅可用作催化剂载体、耐高温材料、涂层和磨料等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条