1) SiGe buffer layer
锗硅弛豫缓冲层
2) relaxed buffer
弛豫缓冲层
3) Relaxed-SiGe substrates
硅锗弛豫衬底
4) SiGe Relaxed Virtual Substrates
弛豫锗硅虚拟衬底
5) Relaxed SiGe buffer
驰豫SiGe缓冲层
6) SiC buffer layers
碳化硅缓冲层
补充资料：“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
物理学术语。原子核外层中不成对的电子质量小，但磁动性很强，可使局部磁场波动增强，促使氢质子弛豫加快，从而使T1和T2缩短，这种效应即为PEDDPRE。过渡元素和镧系元素大部分在d和f轨道有多个不成对电子，所以其离子往往具有PEDDPRE，可用来作顺磁性对比剂，如钆(Gd)。Gd在外层有7个不成对电子，具有很强的顺磁性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条