1) DIBL effect
漏感应势垒降低效应
1.
The surface potential model in the deep submicrometer FD device is presented by introducting some new parameters to describe the DIBL effect.
通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新的参数 ,对公式进行修正 ,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型 ,能够很好地描述漏感应势垒降低效应 。
2) DIBL
漏致势垒降低效应
3) induced potential
感应势垒
1.
To make good use the high energy of solar energy, AlxGa1-xAs was designed to be a added wok layer, and fixed negative charges were introduced on the interface of MIp-AlxGa1-xAs, and the induced potential on interface was established as well, which would result in the formation of MIp+-AlGaAs induced junction and effective diminishment of interface recombination.
为充分利用太阳光的短波部分,将AlxGa1-xAs设计为电池的又一个光伏工作层,并引入固定负电荷,建立界面感应势垒,形成MIp+-AlGaAs感应结,有效降低界面对光生电子的复合。
2.
By introducing fixed negative charges on the surface of insulation layer of MIp Al x Ga 1 x As which were covered by anti reflection coating, the holes in p Al x Ga 1 x As layer were induced to interface, and the induced potential of electrons on interface was established.
在MIp AlxGa1 xAs结构的I层表面上 ,引入固定负电荷 ,并用减反射膜覆盖 ,将p Al1 xGaxAs层中的空穴感应至界面 ,可建立界面电子感应势垒 ,并将其构成MIp AlxGa1 xAs/p n n+ GaAs太阳电池。
4) HBE
势垒效应
1.
Based on the known model of the base transit time of SiGe HBT, the effect of heterojunction barrier effects(HBE) on the base transit time is considered and calculated.
在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系。
2.
Moreover,small Ge fraction grading can t alleviate the HBE effectively,and Ge introduced into the collector can delay the HBE.
讨论了基区Ge分布、集电极电流密度对势垒高度的影响,分析了减弱势垒效应的方法。
5) drain-induced barrier lowering
漏致势垒降低
1.
Simulated results show that,in long-channel semiconductor devices,the conduction of bulk current changes into a space charge-limited mode due to the increase of drain-source voltage,which is the main reason for the unsaturated output current,and that,in short-channel semiconductor devices,the drain-induced barrier lowering effect should be meanwhile considered.
仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为空间电荷限制传导,此即为器件中产生不饱和输出电流的主要原因;而在短沟道器件中,还需要同时考虑漏致势垒降低效应的影响。
6) leakage inductance effect
漏感效应
补充资料：感应电动势
感应电动势
induced electromotive force;induced voltage
gonyingd一ondongsh-感应电动势(indueed eleetromotive forindueed voltage)穿过导电回路所围绕的顶内的磁通童发生变化时，在该回路中产生的电动势当导线切割磁力线时，在导线两端产生的电动势。 透平发电机转子励磁绕组中通过励磁电流后，产生接近正弦分布的阶梯形磁动势。该阶梯形磁2包含一系列奇数次谐波，其中以一次谐波(即基波主，幅值最大，在一对极距内交变一次。在原动机裙转子旋转时，穿过定子三相电枢绕组的磁通量将卜自积或即势为动时间而交变，在电枢绕组中产生三相对称的交变电动称为励磁感应电动势，其每相有效值为 E一丫万兀厂切盛甲v式中f为电动势的频率，H:;w为每相绕组的申用数;k为绕组系数;甲为穿过气隙的每极励磁磁通萝的基波分量，Wb。 发电机接上负载后，在励磁感应电动势作用下电机向负载输送电流，电枢中的交变电流将产生佳漏磁通及通过气隙的电枢反应磁通，它们也会在雌绕组中产生感应电动势。当发电机接在电网上和妻发电机并联运行时，励磁感应电动势的大小将影叮发电机发出的无功功率的大小及电网受电端的佳值，也会影响发电机静态稳定的功率极限。 此外，在暂态过程中，由于定、转子各绕组所目的磁通发生各种不同的变化，同样会在各绕组中开各种感应电动势。这些感应电动势会影响发电机合磁暂态性能(见透平发电机电杭)。匝中发枢枢他到压链成电
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条