1) second generation proxi mity X-raylithography
第二代接近式X射线光刻
2) Proximity X-ray lithography
接近式X射线光刻
3) X-ray lithography
X射线光刻
1.
Synchrotron radiation X-ray lithography beamline design for 50nm resolution and below;
50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计
2.
Key technology of mask making for 50 nm X-ray lithography;
50 nm X射线光刻掩模制备关键技术
3.
Deep-submicron T-shaped gate fabrication technology using syn chrotron radiation x-ray lithography;
同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅
4) XRL
X射线光刻
1.
In order to get the dark field high aspect ratio and the batch product of the MZP,we replicate the MZP mask by using synchrotron radiation X-ray lithography(XRL).
在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片。
2.
As semiconductor device geometry shrinks down to the 100nm order for the most critical layers through Synchrotron X-ray Lithography (XRL), requirements for overlay accuracy alignment increasingly strict in the X-ray Lithography process.
作为微细加工技术之一的高分辨率光刻技术--同步辐射X射线光刻(XRL)可应用于100nm及100nm节点以下分辨率光刻,高精度对准技术对XRL至关重要,直接影响到后续器件的生产质量。
5) X ray lithography
X射线光刻
6) proximity lithography
接近式光刻
1.
Computer simulation of diffraction intensity in proximity lithography;
接近式光刻衍射光场的快速计算机模拟
2.
The light density on the wafer mainly depends on the diffraction produced by the gap between the mask and the wafer in proximity lithography.
在接近式光刻中,衬底上的光强分布主要是受掩模与衬底间的间隙引起的衍射影响。
补充资料：接近式光刻
分子式：
CAS号：
性质： 又称非接触式光刻。使涂敷在基片上的光敏材料，经受穿过与其接近但不接触的光学掩模版的光辐照曝光，从而复印出光学掩模版图形的方法。
CAS号：
性质： 又称非接触式光刻。使涂敷在基片上的光敏材料，经受穿过与其接近但不接触的光学掩模版的光辐照曝光，从而复印出光学掩模版图形的方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条