1) deep-lithograph
深度曝光
2) deep UV lithography
深紫外曝光
1.
Photonic crystals and waveguide devices suitable for 248 nm deep UV lithography and 0.
在大量计算和优化的基础上,设计了适于248nm深紫外曝光和0。
3) exposure intensity
曝光强度
1.
The Influence of different exposure intensity on bone mineral dentisy analiysis of dental implants by radiovisiograph;
牙种植区不同曝光强度RVG骨密度测量结果比较
2.
For the question of the photo-action kinetics in the formation process of latent image in silver halide material, the influences of exposure intensity on the behavior of photo-generation carriers and electron trap effect are analyzed.
针对卤化银感光材料潜影形成过程中光作用动力学问题,分析了曝光强度对光生载流子行为和电子陷阱效应的影响,认为伴随着曝光强度的增加,影响光电子衰减的因素由电子陷阱起主要作用演化到电子陷阱和复合中心共同起作用进而演化到复合中心起主要作用。
3.
The effect of such factors as spatial frequency,exposure intensity and time on gratings diffraction efficiency is studied with experimental method.
为了研究采用由曙红做染料、丙烯酰胺和亚甲基双丙烯酰胺构成的光致聚合物制成的全息透射光栅的曝光特性,用实验的方法探索了光栅空间频率、曝光强度、曝光时间等因素对该透射光栅衍射效率的影响。
4) exposure
[英][ɪk'spəʊʒə(r)] [美][ɪk'spoʒɚ]
曝光度
1.
This paper first introduces classical test theory and principle of adaptive testing,then puts forward a test exposure adaptive control algorithm.
介绍了经典测试理论与自适应测试原理,提出了一种在自适应测试中曝光度控制的算法。
5) exposure latitude
曝光幅度
6) exposure density
曝光密度
补充资料：BCS穿透深度（BCSpenetrationdepth）
BCS穿透深度（BCSpenetrationdepth）
对纯超导体，由BCS电流方程，在伦敦极限下（`\xi_0\lt\lt\lambda`或$l\lt\lt\xi_0$）的穿透深度与伦敦穿透深度λL(T)相符。对非纯超导体（含杂质），在伦敦极限下为
$\lambda(T)=\lambda_L(T)(1 \xi_0//l)^{1/2}$
一般地，λL(T)由经验公式表示其与温度T的关系（见“伦敦穿透深度”）。在皮帕德极限下（$\xi_0\gt\gt\lambda$或$\xi_0\lt\ltl$），ξp=ξ0，则给出为
$\lambda(T)=\frac{8}{9}\lambda_L(T)[\frac{sqrt3\xi_0}{2\pi\lambda_L(T)}]^{1/3}$
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条