2) TSMC 0.18μm CMOS process
TSMC 0.18μm CMOS工艺
3) CMOS
CMOS工艺
1.
10 Gb/s 0.18μm CMOS4∶1 Multiplexer;
10 Gb/s 0.18μm CMOS工艺复接器设计
2.
6μm CMOS technology.
采用CSMC0·6μmCMOS工艺设计实现了低压、低功耗的多级运算跨导放大器。
3.
The present status of power amplifier in CMOS process is discussed,and its potential applications in RFID technology are summarized in the paper.
针对国内外射频识别技术的迅猛发展,结合射频识别技术的应用背景,阐述了读写器中最大的耗能器件—功率放大器的研究现状;指出CMOS工艺应用于功率放大器设计的局限性和可行性;最后,探讨了将CMOS功率放大器应用于射频识别技术的主要研究方向。
4) CMOS technology
CMOS工艺
1.
Low phase noise LC VCO design in CMOS technology;
CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计(英文)
2.
18 μm CMOS technology.
18μm CMOS工艺实现的2。
3.
6μm CMOS technology.
6μm CMOS工艺设计了一种用于光纤通信的跨阻前置放大器。
5) CMOS process
CMOS工艺
1.
Design of folded-cascode operational amplifier with 0.6μm CMOS process;
0.6μm CMOS工艺折叠共源共栅运算放大器设计
2.
Design of on-chip transmission line in CMOS process;
CMOS工艺片上传输线研究
3.
Property of polyimide capacitive type humidity sensor prepared by CMOS process
CMOS工艺制备聚酰亚胺电容型湿度传感器及其性能
补充资料：科瓦列夫斯基，Μ.Μ.
俄国民族学家、历史学家、法学家、社会学家、彼得堡科学院院士。生于俄国哈尔科夫，卒于彼得堡（今列宁格勒）。1872年毕业于哈尔科夫大学法律系，后去柏林、巴黎、伦敦深造，结识了K.马克思和F.恩格斯。1878～1887年,任莫斯科大学教授，先后3次去高加索考察。1887年，因思想激进被解聘，后去欧美研究和讲学。1905～1916年，任彼得堡大学教授。1906年创立民主改良党，鼓吹君主立宪，被选为杜马代表。1907年成为国家参议院议员。1912年，Β.И.列宁曾指出他是"早就一只脚站在反动阵营里的思想家"。他是实证主义者，学术上既受英国历史学家H.J.S.梅因和古典进化学派的影响，又受马克思主义的影响。其著作有数百种，主要的是：《伏特州公社土地所有制解体史纲》(1876)、《公社土地占有制，其解体的原因、进程和结果》(1879)、《现代习惯和古代法律》（1～2卷，1886）、《原始法权》(1886)、《高加索的法律和习惯》(1890)、《家庭及所有制的起源和发展》(1890)、《现代、近代和古代的氏族生活》(1905)、《社会学》(1910)。在这些著作中坚持母系氏族制是普遍存在的观点，认为父系家庭公社是母系家庭向现代个体家庭的过渡，明确划分两种公社，即家长制家庭公社（见家庭公社）和农村公社，认定后一种公社是氏族瓦解的形式。这些观点在学术界产生了一定的影响，马克思主义创始人对此曾予以高度评价。他还写有其他方面的著作，如：《英国中世纪末期的社会制度》(1880，博士论文)、《现代民主的起源》（1～4卷，1895～1897）、《欧洲资本主义经济产生之前的经济增长》（1～3卷，1898～1903）等。他的优秀著作大多写于早期，这时他实际上认为社会经济因素起着主要的作用。但在后期，他鼓吹因素理论，强调心理和生物因素具有重要的意义。
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参考词条