1) epitaxial layer transfer
多孔硅外延转移
1.
In this paper, the SOIM structures were successfully produced by electron beam evaporation of silicon on porous silicon and epitaxial layer transfer.
为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 。
2.
The single crystalline Si/Si 3N 4/substrate Si structures are successfully formed using electron beam evaporation of silicon on porous silicon and epitaxial layer transfer.
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 。
2) epitaxial layer transfer
外延层转移
1.
In this paper,we review the major methods of preparing SOI materials,which include separation by implanted oxygen,smartcut,bonding and etching back silicon,epitaxial layer transfer and other methods.
该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注入相结合及外延层转移等SOI的几种主流制备技术进行了概述,着重介绍了SOI在抗辐照、耐高温等高性能专用电路、光电子、微机械方面以及三维集成电路等领域的主要应用,最后讨论了近几年来SOI技术研究和发展的新动向。
3) silicon epilayer
硅外延层
1.
Sub-micron silicon epilayer deposited by a novel Ultrahigh Vacuum Chemical Deposition System and fabrication of high frequency device;
UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制
4) Si epitaxy
硅外延
1.
By spreading resistance profile technology,Si epitaxy thickness value was obtained through measuring the changing of depth resistivity.
实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题,从三个方面分析了产生的原因,其中两方面存在于样品制备过程:样品研磨角度不等于垫块角度造成的误差;研磨斜面两条边缘不平行造成的误差。
补充资料：氨基多孔硅珠
分子式：
CAS号：
性质：一种二氧化硅胶，白色微珠形颗粒。以多孔硅珠为基料，与（3-氨基丙基）-三乙氧基硅烷反应制取。键合基团为—(CH2)3—NH2。比表面积400～450㎡/g。颗粒320～400目。为高速液相色谱填料，用于分配色谱。
CAS号：
性质：一种二氧化硅胶，白色微珠形颗粒。以多孔硅珠为基料，与（3-氨基丙基）-三乙氧基硅烷反应制取。键合基团为—(CH2)3—NH2。比表面积400～450㎡/g。颗粒320～400目。为高速液相色谱填料，用于分配色谱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条