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1)  S(III) substrate
Si(III)衬底
2)  Si (100) substrates
Si(100)衬底
3)  Si substrate
Si衬底
1.
The impact of Si substrates on the properties of ZnO film;
Si衬底对ZnO薄膜性能影响的研究
2.
The effect of δ-doping in n-type layers on crystal performance of GaN epitaxial films on Si substrates was studied by ω-scan of different crystal planes with X-ray diffraction method.
用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。
3.
The growth of ZnCdSe/ZnSe quantum well on N-treated Si substrates which were covered with ZnO by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) was made.
从发光谱中可见 ,在 5 2 0nm附近有很强的发光 ,而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱结构 ,其光致发光 (PL)谱未见发光。
4)  SiO2/Si substrate
SiO2/Si衬底
5)  Si substrates
Si衬底
6)  silicon substrate
Si衬底
补充资料:衬经衬纬圆纬机
      用以编织衬经衬纬针织物的圆型纬编针织机。它在编织平针组织的同时,衬入不参加成圈的经纱和纬纱,形成衬经衬纬针织物。其基本组织结构如图1所示。 这种针织物的纵向和横向的延伸度都较小,具有机织物的特性,除适合做各种外衣外,还可作灌溉用涂塑管道的骨架。在衬经衬纬圆纬机上,有三组纱线:衬经纱、衬纬纱、成圈纱参加编织。其编织机构如图2所示。
  机器的针筒固定在台面上,三角座相对于针筒回转。衬经纱从固定的纱架上引出,通过分经盘(或导经片)由上而下经过针间衬入织物线圈纵行间。所有衬经纱从针筒口向外倾斜一定角度,形成圆锥面,便于成圈纱的喂入。衬纬纱筒子架位于衬经纱外侧,与三角座一起回转,通过导纬器将纬纱衬入针背与经纱之间,依次横向搁在针上的旧线圈上方。成圈纱筒子架位于衬经纱内侧,与三角座同步回转。导纱器处于织针与衬经纱之间,把成圈纱喂入针钩内编织成圈,形成平针组织,同时,使其线圈的沉降弧从内侧包住衬经纱,圈柱从外侧包住衬纬纱,从而使三组纱线结合在一起,形成一种基本的衬经衬纬针织物。  衬经衬纬针织物用于外衣产品时,由于衬经纱和衬纬纱之间没有交织点,易于拱出,因此,需改变其组织结构。例如,通过导经片将衬经纱在针头上绕一圈,并把它向下转移到旧线圈处,再和旧线圈一起向上套圈,使衬经纱与成圈纱结合得更紧密。另外,适当加粗衬纬纱,也可提高衬经衬纬针织物的结构稳定性。
  

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