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1)  AlN/Si (111) composite substrate
AlN/Si(111)复合衬底
2)  Si(111)substrates
Si(111)衬底
3)  p-Si(111) substrate
p-Si(111)衬底
4)  C-SiC/Si(111)
3C-SiC/Si(111)衬底
5)  Si/CdTe compound substrate
Si/CdTe复合衬底
1.
HgCdTe epilayer grown on(211)Si/CdTe compound substrate was first obtained by a novel liquid-phase epitaxy technique.
通过改进推舟液相外延技术,成功地在(211)晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜。
6)  silicon composite substrates
Si基复合衬底
1.
In the article the good result of LPE MW(Hg_(1-x)Cd_xTe) on silicon composite substrates is presented,The Hg_(1-x)Cd_xTe epilayer was characterized with X-ray diffraction,X-ray topography and FTIR.
文章报道了采用Si基复合衬底,利用液相外延方法成功进行中波碲镉汞薄膜生长的情况,并且采用X光双晶衍射、X光形貌、红外付立叶光谱仪等手段对碲镉汞薄膜进行了表征。
补充资料:Al

元素符号: al 英文名: aluminum 中文名: 铝

相对原子质量: 26.9815 常见化合价: +3 电负性: 1.61

外围电子排布: 3s2 3p1 核外电子排布: 2,8,3

同位素及放射线: al-26[730000y] *al-27 al-28[2.3m]

电子亲合和能: 48 kj·mol-1

第一电离能: 577.6 kj·mol-1 第二电离能: 1817 kj·mol-1 第三电离能: 2745 kj·mol-1

单质密度: 2.702 g/cm3 单质熔点: 660.37 ℃ 单质沸点: 2467 ℃

原子半径: 1.82 埃 离子半径: 0.51(+3) 埃 共价半径: 1.18 埃

常见化合物: al2o3 alcl3 al2s3 naalo2 al2(so4)3 al(oh)3

发现人: 厄斯泰德、维勒 时间: 1825 地点: 丹麦

名称由来:

拉丁文:alumen, aluminis(铝)。

元素描述:

柔软轻质的银白色金属,在地壳中含量第三。

元素来源:

自然界完全没有铝单质存在。可以电解铝土(al2o3)制取铝。

元素用途:

上自飞机下到易拉罐应用广泛。因为纯铝太柔软,所以要加入不到1%的硅或铁以加大其硬度和强度。

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参考词条