2) GaN epitaxial film
GaN外延膜
3) GaN epilayer
GaN外延层
1.
GaN epilayers were grown on Si substrates by reactive deposition in vacuum.
采用真空反应法在硅基上制备出了GaN外延层。
4) epitaxial growth
外延生长
1.
Scanning tunneling microscopy studies on the epitaxial growth of organic semiconductors;
有机半导体外延生长的扫描隧道显微镜研究
2.
Research on the epitaxial growth technique of 3C SiC on silicon substrates;
硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术
3.
sing a rotating boat system for liquid phase epitaxial growth the GaP epitaxy has been prepared.
采用旋转舟液相外延生长系统获得ＧａＰ外延片，由它制得ＣａＰ红色发光二极管，其外量子效率可高达１０％（在电流密度为１。
5) epitaxy growth
外延生长
1.
The authors analyze the process characteristics of epitaxy growth for GaN single crystal films using ECR MOCVD devices, and the main factors which affect the GaN crystalline quality during the epitaxy growth.
分析了在 ECR-MOCVD装置上外延生长 Ga N单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响 Ga N结晶质量的主要因素 。
6) epitaxy
[英]['epi,tæksi] [美]['ɛpɪ,tæksɪ]
外延生长
1.
(2) Using ion-beam assisted chemical vapor deposition, a 100% pure single crystal c-BN film on diamond substrate was grown by epitaxy.
0eV的c-BN薄膜 ;(2 )用离子束辅助的化学气相沉积法(CVD) ,在金刚石上外延生长出立方含量达 10 0 %的单晶c -BN薄膜 ;(3)用微波电子回旋共振CVD法 (MW -ECR-CVD)在金刚石上外延生长出高纯c-BN薄膜 。
补充资料：外延生长工艺
分子式：
CAS号：
性质：利用晶体界面上的二维结构相似性成核的原理，在一块单晶片上，沿着其原来的结晶轴方向再生长一层晶格完整、且可以具有不同的杂质浓度和厚度的单晶层的工艺。外延有同质外延和异质外延之分，可以采用隔离性能优良的绝缘材料作外延衬底。外延层可以和原单晶片具有不同的导电类型，利用这一特性，可以通过外延生长来直接制备p-n结。外延生长法有气相外延、液相外延和分子束外延等。要求基质的晶面与薄膜的晶面很好地匹配，以保证得到均匀、稳定的单晶薄膜，并使膜在温度变化过程中不脱落。
CAS号：
性质：利用晶体界面上的二维结构相似性成核的原理，在一块单晶片上，沿着其原来的结晶轴方向再生长一层晶格完整、且可以具有不同的杂质浓度和厚度的单晶层的工艺。外延有同质外延和异质外延之分，可以采用隔离性能优良的绝缘材料作外延衬底。外延层可以和原单晶片具有不同的导电类型，利用这一特性，可以通过外延生长来直接制备p-n结。外延生长法有气相外延、液相外延和分子束外延等。要求基质的晶面与薄膜的晶面很好地匹配，以保证得到均匀、稳定的单晶薄膜，并使膜在温度变化过程中不脱落。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条