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1)  characterization of MOS device
MOS器件表征
2)  MOS device
MOS器件
1.
Application of 1/f noise in monitoring electrostatic latent damage in MOS devices;
MOS器件静电潜在损伤的1/f噪声监测方法
2.
Measurement of total dose effects on MOS devices and circuits;
MOS器件及电路的总剂量辐射效应测试技术
3.
Research on applocation of 1/f noise in detecting latent damage in MOS devices;
MOS器件潜在损伤的1/f噪声检测方法研究
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3)  MOSFET ['mɔsfet]
MOS器件
1.
Theoretic Research on Time-Dependent Radiation Response of MOSFET;
MOS器件时间关联辐射响应的理论研究
2.
MOSFET gate oxide layer anti-breakdown effect of HPM;
MOS器件的栅氧化层抗HPM击穿效应的研究
3.
Plasma process Induced damage to MOSFET device;
MOS器件中的等离子损伤
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4)  MOS/SOI Device
MOS/SOI器件
1.
Design and Fabrication of 0.15μm Thin Film Fully Depleted MOS/SOI Device;
0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制
5)  MOS-HEMT
MOS-HEMT器件
1.
Temperature characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMT with Al_2O_3 gate dielectric
Al_2O_3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究
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6)  power MOSFET
功率MOS器件
1.
A new model is established to make simulation for single event gate rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software.
建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠
2.
A new model is established to perform simulation for Single\|Event Gate\|Rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software.
根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠
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补充资料：E/D MOS电路
    　　见增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路。
　　

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参考词条