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1)  semi-depth velocity coefficient
半深流速系数
1.
On the basis of vertical velocity distribution with ice cover,it hasbeen proved that the semi-depth velocity coefficient is related to bed roughness and bottom ice roughness,and its approximant is given for practical use.
根据有冰盖情况下垂线流速分市公式,证明了半深流速系数和冰底糙率与河床糙率比有关,并给出半深系数的近似值,可供无资料情况下使用。
2)  velocity coefficient
流速系数
1.
The calculation formulas for velocity coefficients φ_2 and φ_5 for the throat and throat inlet section were deduced from the theoretical research on the velocity coefficients in time-averaged basic equations by use of the unsteady momentum equation and time-averaged value calculation method.
运用非恒定的动量方程和时均值计算方法,对脉冲液体射流泵时均值基本方程中的流速系数进行了理论研究,推导出了喉管和喉管进口段流速系数φ2和φ5的计算式。
2.
The main parameter in this study is velocity coefficient φof a stepped spillway.
基于模型试验,研究了阶梯溢流面的流速系数影响流速系数的主要因素为单宽流量q、阶梯的高度h和溢流面的高度P定义了一个无量纲参数———跌落数Dr=q/gd√研究了阶梯面坡度l/d对流速系数的影响,给出了经验计算公
3.
Combined with the actual works of flow measuring and relevant provisions,taking several sections of Main Canal of Linghua,Huaiyuan,the headworks of North Main Canal and South Main Canal for example,from the determination of sections for flow measuring,layout of measuring line and other aspects,the general determination methods of the velocity coefficient of slop were discussed.
结合测流工作实际和有关规定,以总干灵化、槐原、北干渠首、南干渠首等具有代表性的几个断面为例,分别从测流断面的确定、测线布设等诸多方面阐述了边坡部分流速系数的一般确定方法,进而对现行采用的实验室所得来流速系数进行了修正,提出了不同断面应该采用不同边坡部分流速系数的观点,为合理调水、准确计算水量提供了切合实际的科学依据。
3)  velocity-depth relation
流速水深关系
4)  velocity half-width
流速半宽
5)  surface velocity efficient
水面流速系数
1.
The peak flood volume of the section was calculated through analysis of surface velocity efficient,the calculating error was analysed.
嫩江江桥站1998年8月特大洪水发生决口,通过分析水面流速系数,推算决口情况下主槽和决口处的洪峰流量,并进行误差分析。
6)  coefficient of velocity profile
流速分布系数
补充资料:半导体材料霍尔系数测量


半导体材料霍尔系数测量
Hall coefficient measurement for semiconductor material

  bandaot一Calliao huoerx一shu Cel一Qng半导体材料公耳系数测里(Hall eoeffieientmeasurement for semieonduetor material)在电场作用于一可导电物体的同时加以磁场,将在该导电物体上,同时垂直于电场和磁场的方向上建立起一个新的电场,称为霍耳效应。半导体材料的霍耳效应比金属材料的霍耳效应尤为显著,它表征着半导体材料的某些基本特征,广泛用于半导体材料物性的测量。 一半导体材料在其x方向通以电流J二,在z方向加以均匀的磁场B:,在磁场中运动的荷电粒子洛劳仑兹力的作用,则在夕方向产生霍耳电场E,: E,=RHJxBz粤矛少、了 1 、-一一’一_一* 一艺卜户 工·口11州飞七犷衍· 洲‘针飞本 霍耳效应原理图式中J,为x方向电流密度,A/mZ;B二为z方向磁感应在测量霍耳系数的同时测出电阻率来,可计算出强度,T;E,为y方向霍耳电场,v/m;RH为霍耳系数,霍耳迁移率产n一{RH!氏m3/C。霍耳效应原理如图所示。由于半导体的性质依赖于温度,因此可利用霍耳 半导体材料中存在着电子和空穴两种载流子,根系数随温度的变化来确定杂质能级、禁带宽度以及迁据理论计算可知霍耳系数RH和两种载流子浓度之间移率的温度特性等,从而对材料的质量作出相应的估有如下关系:价。 _/、户一n护(冯仪) R“一一X‘一,二吮、‘’一 ‘、P+n犷式中£为电子电量,C泌一群n/群p,为该半导体材料的电子迁移率与空穴迁移率之比;n和p分别为半导体材料中电子和空穴的浓度,。m一3;r是接近于1的比例因子,与散射机构、温度、能带结构和磁场强度等有关。对于。型半导体,刀》,,R一素;对于p型半导体,,》、,RH、粤。可见,根据霍耳系数的符号可判定半导体 eP材料的导电类型,霍耳效应的值可计算出载流子浓度。
  
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参考词条